[發(fā)明專利]靜電夾頭有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280068046.6 | 申請日: | 2012-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN104067382B | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 小野浩司 | 申請(專利權)人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;B23Q3/15;H02N13/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 樊建中 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 夾頭 | ||
1.一種靜電夾頭,其特征在于,包括:
陶瓷基體,其含有Mn;和
吸著用電極,其設置于該陶瓷基體的內部或下表面,
在所述陶瓷基體的自上表面至所述吸著用電極的區(qū)域中具有Mn的含量小于1×10-4質量%的部分。
2.根據(jù)權利要求1所述的靜電夾頭,其特征在于,
所述吸著用電極設置于所述陶瓷基體的內部,自所述上表面至所述吸著用電極的區(qū)域的Mn的含量小于1×10-4質量%。
3.根據(jù)權利要求1所述的靜電夾頭,其特征在于,
所述吸著用電極設置于所述陶瓷基體的內部,自所述上表面至所述吸著用電極的下表面附近的區(qū)域的Mn的含量小于1×10-4質量%。
4.根據(jù)權利要求1~3中任一項所述的靜電夾頭,其特征在于,
所述陶瓷基體由多晶體構成。
5.根據(jù)權利要求4所述的靜電夾頭,其特征在于,
所述陶瓷基體的晶界相的Mn含量小于1×10-4質量%。
6.根據(jù)權利要求1~3中任一項所述的靜電夾頭,其特征在于,
在所述陶瓷基體的上表面設置有多個凸部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





