[發明專利]用于顯示裝置的傾斜小面

有效

• 申請號: 201280064074.0
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN104040407A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 羅伯特·L·霍爾曼;克里斯托弗爾·A·萊弗里;湯民豪
• 申請（專利權）人: 高通MEMS科技公司
• 主分類號: G02B26/00
• 分類號: G02B26/00;G06F3/044
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 孫寶成

技術領域

本發明涉及形成機電系統裝置的組件的方法及借此形成的組件。

背景技術

機電系統包含具有電及機械元件、致動器、換能器、傳感器、光學組件(例如，鏡)及電子器件的裝置。可以多種尺寸制造機電系統，包含但不限于微米尺寸及納米尺寸。舉例來說，微機電系統(MEMS)裝置可包含具有介于從約一微米到數百微米或更大的范圍內的大小的結構。納米機電系統(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小(舉例來說，包含小于數百納米的大小)的結構。可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電裝置及機電裝置的其它微機械加工工藝形成機電元件。

一種類型的機電系統裝置稱作干涉式調制器(IMOD)。如本文中所用，術語干涉式調制器或干涉式光調制器是指使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實施方案中，干涉式調制器可包含一對導電板，所述對導電板中的一者或兩者可為全部或部分透明的及/或反射的且能夠在施加適當電信號時相對運動。在實施方案中，一個板可包含沉積于襯底上的固定層且另一板可包含通過氣隙與所述固定層分離的反射膜。一個板相對于另一板的位置可改變入射于干涉式調制器上的光的光學干涉。干涉式調制器裝置具有廣泛的應用，且預期用于改進現有產品及形成新產品，尤其是具有顯示能力的那些產品。

發明內容

本發明的系統、方法及裝置各自具有數個創新性方面，所述方面中的單個方面均不單獨地決定本文中所揭示的所要屬性。

本發明中所描述的標的物的一個創新性方面可實施于一種設備中，所述設備包含具有形成于襯底的第一表面中的多個凹痕的柔性襯底及至少部分位于所述凹痕內的反射小面，其中所述反射小面包含位于所述小面的面向所述凹痕的側上的反射表面及安置于所述襯底的相對側上的小面掩蔽結構，其中所述小面掩蔽結構的反射性小于所述反射表面。

所述小面掩蔽結構可包含光致抗蝕劑層或干涉式黑色掩模。另外，所述設備可包含位于所述柔性襯底上的多個經掩蔽導線，其中所述多個經掩蔽導線中的每一者包含導電材料條帶及導線掩蔽結構，其中導線掩蔽層的反射性小于所述導電材料條帶。

本發明中所描述的標的物的另一創新性方面可實施于一種制作設備的方法中，所述方法包含：提供襯底，所述襯底具有形成于所述襯底的第一表面上的多個凹痕；在所述襯底的所述第一表面上方形成反射層；在所述反射層上方形成經圖案化掩蔽層；及使用所述經圖案化掩蔽層作為掩模來圖案化所述反射層以在所述襯底的所述第一表面中的所述凹痕內形成經掩蔽反射小面。

所述襯底可為柔性的或可為實質上剛性的。圖案化所述反射層還可包含使用所述掩蔽層作為掩模來圖案化所述反射層以形成在所述襯底的所述第一表面的位于所述襯底的所述第一表面中的所述凹痕之間的平坦部分上方延伸的經掩蔽布線。

在隨附圖式及以下描述中闡明本說明書中所描述的標的物的一或多個實施方案的細節。根據所述描述、圖式及權利要求書將明了其它特征、方面及優點。注意，以下各圖的相對尺寸可能并未按比例繪制。

附圖說明

圖1展示描繪干涉式調制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等角視圖的實例。

圖2展示圖解說明并入有3×3干涉式調制器顯示器的電子裝置的系統框圖的實例。

圖3展示圖解說明圖1的干涉式調制器的可移動反射層位置對所施加電壓的圖的實例。

圖4展示圖解說明當施加各種共用電壓及分段電壓時干涉式調制器的各種狀態的表的實例。

圖5A展示圖解說明在圖2的3×3干涉式調制器顯示器中的顯示數據幀的圖的實例。

圖5B展示可用于寫入圖5A中所圖解說明的顯示數據幀的共用信號及分段信號的時序圖的實例。

圖6A展示圖1的干涉式調制器顯示器的部分橫截面的實例。

圖6B到6E展示干涉式調制器的不同實施方案的橫截面的實例。

圖7展示圖解說明用于干涉式調制器的制造工藝的流程圖的實例。

圖8A到8E展示制作干涉式調制器的方法中的各種階段的橫截面示意性圖解說明的實例。

圖9A到9E展示用于在柔性襯底上形成經掩蔽結構的工藝的實例。

圖10A展示圖9A的區段10的細節視圖的實例。

圖10B展示類似于圖10A的區段的區段的替代細節視圖的實例。

圖11A及11B展示用于在柔性襯底上形成經自掩蔽結構的工藝中的兩個步驟的實例。