[發明專利]有源矩陣基板

有效

• 申請號: 201280063901.4
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN104011587A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 美崎克紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1343;G09F9/30;H01L21/318;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及有源矩陣基板，特別涉及適用于液晶顯示裝置的有源矩陣基板。

背景技術

有源矩陣型的液晶顯示裝置一般包括：按照每個像素作為開關元件形成有薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣基板(有時還稱為“TFT基板”)；形成有彩色濾光片等的相對基板(有時還稱為“彩色濾光片基板”)；和設置在有源矩陣基板與相對基板之間的液晶層。和電連接于薄膜晶體管的像素電極與共用電極的電位差相應的電場被施加至液晶層，液晶層中的液晶分子的取向狀態由于該電場而發生變化，由此能夠控制各像素的光透射率，進行顯示。

在有源矩陣型的液晶顯示裝置，與其用途相應地被提案及采用各種各樣的顯示模式。作為顯示模式，能夠列舉TN(Twisted?Nematic：扭轉向列)模式、VA(Vertical?Alignment：垂直取向)模式、IPS(In-Plane?Switching：面內開關)模式、FFS(Fringe?Field?Switching：邊緣場開關)模式等。

在這些液晶顯示裝置中，存在如下方式：有源矩陣基板具有兩個透明導電層，在該兩個透明導電層之間形成有無機絕緣層。為了說明的簡便，將由在中間夾著無機絕緣層的兩個透明導電層形成的電極的結構，稱為“2層電極結構”。

例如，在一般的FFS模式中，如在專利文獻1中公開的那樣，下層的透明導電層作為共用電極設置，上層的透明導電層作為形成有多個狹縫的像素電極設置。另外，如在專利文獻2中公開的那樣，也已知有在FFS模式中，像素電極作為下層電極設置，形成有多個狹縫的共用電極作為上層電極設置的結構。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2002-182230號公報

專利文獻2：日本特開2011-53443號公報

發明內容

發明所要解決的課題

此外，如后述那樣，申請人正在對具有利用2層電極結構的輔助電容的液晶顯示裝置進行研究開發。具體而言，對以下層的透明導電層為輔助電容相對電極(被供給共用電壓或輔助電容相對電壓)、并以上層的透明導電層為像素電極的結構進行研究。該液晶顯示裝置例如為VA模式，但是也能夠應用于其它顯示模式。

本發明發現具有上述的2層電極結構的有源矩陣基板具有以下的問題，詳細情況參照比較例在之后進行說明。

首先，在2層電極結構中，存在如下問題：即，在兩個透明導電層之間形成的層間絕緣膜(圖8所示的比較例的有源矩陣基板200A的第三層間絕緣層23P)與透明導電層的緊貼性低，容易剝落的問題。

進一步，關于2層電極結構，為了改善透明導電層與層間絕緣膜的緊貼性，研究了各種無機絕緣層，發現存在如下問題：即，當使用能夠提高緊貼性的無機絕緣層(例如，具有拉伸應力的氮化硅(SiN_x)層)時，透明導電層(一般由以ITO(銦錫氧化物)或IZO(銦鋅氧化物)等為代表的透明無機氧化物形成)由于氮化硅層，界面附近的氧化物被還原而金屬化，結果是透明導電層的光的透射率降低的問題。

本發明的目的在于，提供解決了上述問題的至少一部分的有源矩陣基板。

用于解決課題的方式

本發明的實施方式的有源矩陣基板具有：

基板；

薄膜晶體管，其被上述基板支承，具有半導體層、柵極電極、源極電極和漏極電極；

第一透明導電層和第二透明導電層，該第一透明導電層和第二透明導電層中的至少一方與上述薄膜晶體管的上述漏極電極電連接；和

無機絕緣層的疊層體，其在上述第一透明導電層與上述第二透明導電層之間形成，

上述疊層體具有：具有拉伸應力的第一無機絕緣層；以及第二無機絕緣層和第三無機絕緣層，該第二無機絕緣層和第三無機絕緣層以夾著上述第一無機絕緣層的方式形成，且具有壓應力，并且，上述疊層體作為整體具有拉伸應力(即、上述疊層體整體具有拉伸應力)。在本發明的實施方式的有源矩陣基板中，具有拉伸應力的上述第一無機絕緣層不與上述第一透明導電層和上述第二透明導電層中的任一層直接接觸。

在一個實施方式中，上述第一無機絕緣層是折射率為1.804以下的氮化硅層。

在一個實施方式中，上述第二無機絕緣層和上述第三無機絕緣層是折射率為1.805以上的氮化硅層。