[發(fā)明專利]有源矩陣基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280063901.4
• 申請(qǐng)日: 2012-12-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104011587A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 美崎克紀(jì)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/1368
• 分類號(hào): G02F1/1368;G02F1/1343;G09F9/30;H01L21/318;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種有源矩陣基板，其特征在于，具有：

基板；

薄膜晶體管，其被所述基板支承，具有半導(dǎo)體層、柵極電極、源極電極和漏極電極；

第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層，該第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層中的至少一方與所述薄膜晶體管的所述漏極電極電連接；和

在所述第一透明導(dǎo)電層與所述第二透明導(dǎo)電層之間形成的無(wú)機(jī)絕緣層的疊層體，

所述疊層體具有第一無(wú)機(jī)絕緣層、第二無(wú)機(jī)絕緣層和第三無(wú)機(jī)絕緣層，所述第一無(wú)機(jī)絕緣層具有拉伸應(yīng)力，所述第二無(wú)機(jī)絕緣層和所述第三無(wú)機(jī)絕緣層以?shī)A著所述第一無(wú)機(jī)絕緣層的方式形成，具有壓應(yīng)力，并且，所述疊層體作為整體具有拉伸應(yīng)力。

2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第一無(wú)機(jī)絕緣層是折射率為1.804以下的氮化硅層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第二無(wú)機(jī)絕緣層和所述第三無(wú)機(jī)絕緣層是折射率為1.805以上的氮化硅層。

4.如權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第一透明導(dǎo)電層與所述第二透明導(dǎo)電層相比更靠近所述基板地形成，所述第二無(wú)機(jī)絕緣層與所述第三無(wú)機(jī)絕緣層相比更靠近所述基板地形成，

所述疊層體在所述第一透明導(dǎo)電層與所述第二無(wú)機(jī)絕緣層之間還具有第四無(wú)機(jī)絕緣層。

5.如權(quán)利要求4所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第四無(wú)機(jī)絕緣層是折射率為1.4以上1.6以下的氧化硅層。

6.如權(quán)利要求4或5所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述疊層體在所述第二透明導(dǎo)電層與所述第三無(wú)機(jī)絕緣層之間還具有第五無(wú)機(jī)絕緣層。

7.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第五無(wú)機(jī)絕緣層是折射率為1.4以上1.6以下的氧化硅層。

8.如權(quán)利要求1～7中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層是ITO層或IZO層。

9.如權(quán)利要求1～8中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述半導(dǎo)體層是氧化物半導(dǎo)體層。

10.如權(quán)利要求1～9中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第一透明導(dǎo)電層處于電浮置狀態(tài)，所述第二透明導(dǎo)電層是像素電極。

11.如權(quán)利要求1～9中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第一透明導(dǎo)電層是輔助電容相對(duì)電極，所述第二透明導(dǎo)電層是像素電極。

12.如權(quán)利要求1～9中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于：

所述第一透明導(dǎo)電層是共用電極，所述第二透明導(dǎo)電層是具有多個(gè)狹縫的像素電極。

13.如權(quán)利要求1～12中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于：

具有覆蓋所述薄膜晶體管的有機(jī)絕緣層，

所述有機(jī)絕緣層的一部分與所述疊層體的一部分直接接觸。