[發明專利]硅微粒的制造方法和制造設備無效
| 申請號： | 201280063138.5 | 申請日： | 2012-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN104010967A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 遠藤忍;巖淵芳典;山本由紀子 | 申請（專利權）人： | 株式會社普利司通 |
| 主分類號： | C01B33/02 | 分類號： | C01B33/02;C01B33/025 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微粒 制造 方法 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅微粒的制造方法，其包括：
在由非碳物質形成的區域中，在惰性氣氛下通過使用加熱手段加熱通過干燥包含硅源和碳源的混合物獲得的前驅體的步驟A，
在所述由非碳物質形成的區域中在惰性氣氛下迅速冷卻通過加熱所述前驅體產生的氣體的步驟B，
其中所述硅源和所述碳源的至少之一為液態。
2.根據權利要求1所述的硅微粒的制造方法，其中在所述步驟A中，在具有由非碳物質構成的內壁的室中，通過使用熱等離子體、電阻加熱設備、激光加熱設備或電弧等離子體作為所述加熱手段來加熱所述前驅體。
3.一種硅微粒的制造設備，其包括：
加熱手段，其構造為在由非碳物質形成的區域中在惰性氣氛下來加熱通過干燥包含硅源和碳源的混合物獲得的前驅體，
迅速冷卻手段，其構造為在所述由非碳物質形成的區域中在惰性氣氛下來迅速冷卻通過加熱所述前驅體產生的氣體，
其中所述硅源和所述碳源的至少之一為液態。
4.根據權利要求3所述的硅微粒的制造設備，其中所述加熱手段被構造為在具有由非碳物質構成的內壁的室中，通過使用熱等離子體、電阻加熱設備、激光加熱設備或電弧等離子體來加熱所述前驅體。
5.根據權利要求4所述的硅微粒的制造設備，其中所述迅速冷卻手段被構造為通過將所述氣體釋放到加熱區域之外迅速冷卻所述氣體，在所述加熱區域中通過所述加熱手段加熱所述前驅體。
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