[發明專利]復合氧化物燒結體、濺射靶、以及氧化物透明導電膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201280060478.2
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN103987678B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 倉持豪人;玉野公章;飯草仁志;秋池良;涉田見哲夫
• 申請（專利權）人: 東曹株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 沈雪

技術領域

本發明涉及一種復合氧化物燒結體、濺射靶、以及氧化物透明導電膜及其制造方法。

背景技術

氧化物透明導電膜為低電阻，并且在可見光區域具有比較高的透射率。因此，被用于液晶等顯示元件及太陽能電池等各種受光元件的電極。另外，在汽車用及建筑材料用的熱線反射膜或抗靜電膜或冷凍柜等防霧用透明發熱體等各種領域中被利用。其中，添加有錫的氧化銦膜作為ITO膜被廣泛利用。

近年來，作為用于最大限度地發揮元件特性的方法，降低光吸收特性的技術是非常重要的。特別是在液晶等顯示元件的電極及太陽能電池等各種受光元件的電極等重視光學特性的用途中，謀求在寬的波長區域范圍內具有更低的光吸收特性的電極。

在上述ITO膜中，嘗試了通過調整錫的添加量來調整光吸收特性。但是，在該方法中，改善電阻和光吸收特性兩者是很困難的。例如，在非專利文獻1中公開了In₂O₃-SnO₂系透明導電膜中的電光學特性的SnO₂量依賴性。由此，In₂O₃-SnO₂系透明導電膜的電阻在SnO₂量為10wt％左右達到最低。但是，在這種SnO₂量中，由于等離子體波長轉移至短波長側，因此，紅外區域中的吸收率變大。

另一方面，也嘗試了通過向氧化銦中添加元素而得到所期望的特性。例如，在專利文獻1中公開了由銦、選自多種金屬元素中的至少1種元素以及氧構成、且所選擇的金屬元素為2.0～40at％的氧化物燒結體。在該專利文獻1中，作為多種金屬元素，列舉了鋯、釔以及其它元素。但是，在專利文獻1中僅公開了單獨添加上述金屬元素的物質。在該專利文獻1中只不過公開了鋯的比率為16.9at％、釔的比率為17.4at％的組成。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開平9-209134號公報

非專利文獻

非專利文獻1:TOSOH?Research&Technology?Review、47、pp.11-20(2003)

發明內容

發明所要解決的問題

在液晶等顯示元件及太陽能電池等各種受光元件的電極等重視光學特性的用途中，謀求在寬的波長區域范圍內具有更低的光吸收特性的電極。即，期望兼具低的電阻率和低的光吸收率這兩種特性。因此，本發明的目的一方面在于，提供一種可以得到在寬的波長區域范圍內具有足夠低的光吸收率、且具有低的電阻率的氧化物透明導電膜的復合氧化物燒結體。本發明的目的另一方面在于，提供一種在寬的波長區域范圍內具有足夠低的光吸收率、且具有低的電阻率的氧化物透明導電膜。

用于解決問題的技術方案

鑒于這樣的背景，本發明人等重復進行了潛心研究。其結果發現，通過在氧化銦中以特定的比率添加特定的元素，可得到能夠形成兼具足夠低的光吸收率和低的電阻率的氧化物透明導電膜的復合氧化物燒結體，以至完成了本發明。

本發明提供一種復合氧化物燒結體，其特征在于，在將銦、鋯及釔分別設定為In、Zr及Y時，以原子比計，Zr/(In+Zr+Y)為0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)為0.005～0.5at％。

本發明提供一種濺射靶，其特征在于，由上述復合氧化物燒結體制成。本發明提供一種氧化物透明導電膜的制造方法，其特征在于，使用上述濺射靶進行濺射。

本發明提供一種氧化物透明導電膜，其通過上述方法來得到。

本發明提供一種氧化物透明導電膜，其特征在于，在將銦、鋯及釔分別設定為In、Zr及Y時，以原子比計，Zr/(In+Zr+Y)為0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)為0.005～0.5at％。

發明的效果

本發明的復合氧化物燒結體可以用作濺射靶。而且，通過使用該濺射靶進行濺射，可以在抑止濺射中的異常放電的同時，制造本發明的氧化物透明導電膜。本發明的氧化物透明導電膜為低電阻，而且在寬的波長區域范圍內具有低的光吸收特性(低的光吸收率)。