[發明專利]復合氧化物燒結體、濺射靶、以及氧化物透明導電膜及其制造方法有效
| 申請號： | 201280060478.2 | 申請日： | 2012-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN103987678B | 公開（公告）日： | 2016-10-12 |
| 發明（設計）人： | 倉持豪人;玉野公章;飯草仁志;秋池良;涉田見哲夫 | 申請（專利權）人： | 東曹株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合 氧化物 燒結 濺射 以及 透明 導電 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種復合氧化物燒結體，其中，在將銦、鋯及釔分別設定為In、Zr及Y時，以原子比計，Zr/(In+Zr+Y)為0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)為0.005～0.5at％。
2.如權利要求1所述的復合氧化物燒結體，其中，含有具有銦、鋯、釔及氧作為構成元素的復合氧化物。
3.一種濺射靶，其由權利要求1或2所述的復合氧化物燒結體制成。
4.一種氧化物透明導電膜的制造方法，其具有使用權利要求3所述的濺射靶進行濺射的工序。
5.一種氧化物透明導電膜，其通過權利要求4所述的制造方法得到。
6.一種氧化物透明導電膜，其中，在將銦、鋯及釔分別設定為In、Zr及Y時，Zr/(In+Zr+Y)為0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)為0.005～0.5at％。
7.如權利要求6所述的氧化物透明導電膜，其中，含有具有銦、鋯、釔及氧作為構成元素的復合氧化物。
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