[發明專利]催化劑CVD法及其裝置

有效

• 申請號: 201280059774.0
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN103975093A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 松村英樹;橋本博隆
• 申請（專利權）人: 株式會社橋本商會
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張斯盾

技術領域

本發明涉及用于在鋁制的圓筒狀基體上形成非晶硅類膜的催化劑CVD法及其裝置。

背景技術

基于催化劑CVD裝置的非晶硅類膜的成膜技術作為與等離子CVD法匹敵的技術或者由于能夠得到的更硬質的膜，而作為超過它的技術被積極地研究。其代表性的催化劑CVD裝置被專利文獻1公開。相關的CVD裝置在反應室內并列地配置通過通電被加熱到1500℃至1800℃那樣的極高的溫度的鎢的催化劑體和被加熱到250℃至260℃的圓筒狀基體，向因真空泵而成為真空狀態的反應室內導入SiH₄和H₂的混合氣體等原料氣體，使相關的氣體在被加熱了的催化劑體通過，引起催化劑反應，使因該反應而分解生成的反應生成物到達基體，使非晶硅類膜堆積。更嚴謹地說，以SiH₄和B₂H₆的混合氣體開始，切換為SiH₄和H₂的混合氣體，最后，導入SiH₄和NH₃的混合氣體，在基體上依次堆積形成電荷注入阻止層、光導電層、表面保護層。

專利文獻1記載的催化劑體雖然是氣體透過的構造的催化劑體，但是，作為催化劑體利用鎢線的發明也通過專利文獻2以及3被公知。在哪種情況下，都是一面由插入到基體內的電加熱構件將基體加熱到250℃至260℃，一面進行電荷注入阻止層以及光導電層的形成，但是，希望表面保護層的形成在基體的溫度比它低的情況下進行，為此，將電加熱構件切斷，使插入到基體內的冷卻裝置運轉。但是，由于將被加熱到高溫的催化劑體配置在基體的附近，所以，基體受到來自催化劑體的輻射熱的影響，不能控制在所希望的溫度。盡管如此，在非晶硅類膜的厚度為20μ左右的情況下，雖然由于難以受到熱應力的影響，所以，不會在表面保護層產生龜裂，但是，清楚了若在欲形成商業性的電子照片感光鼓所要求的厚度為30μ的膜，則因熱應力的影響在表面保護層引起龜裂這樣的研究結果。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：專利第3145536號說明書

專利文獻2：日本特開2009－215618號公報

專利文獻3：日本特開2009－287065號公報

本發明者經過反復進行進一步的研究，結果發現，即使在非晶硅類膜的厚度為30μ的情況下，使基體的溫度足夠低，一面保持該溫度，一面形成表面保護層，據此，不會在表面保護層引起龜裂。但是，還清楚了由于即使使基體內的冷卻裝置運轉，也因來自被加熱到高溫的催化劑體的輻射熱而不能維持基體的這樣的溫度。

本發明的目的是提供一種在形成表面保護層的過程中，使圓筒狀基體的溫度比形成電荷注入阻止層以及光導電層時的溫度足夠低，不會在表面保護層產生龜裂的催化劑CVD方法以及裝置。

發明內容

根據本發明，上述的目的是通過提供一種催化劑CVD法來實現的，所述催化劑CVD法在反應室內并列地配置通過通電被加熱到1500℃至1800℃那樣的極高的溫度的鎢的線狀催化劑體和被加熱到250℃至260℃的鋁制的圓筒狀基體，向通過真空泵而成為真空狀態的反應室內依次導入SiH₄和B₂H₆的混合氣體、SiH₄和H₂的混合氣體以及SiH₄和NH₃的混合氣體，使之與被加熱的催化劑體引起催化劑反應，使因該反應而分解生成的反應生成物到達基體，將非晶硅類膜作為電荷注入阻止層、光導電層以及表面保護層來依次堆積，其特征在于，在形成表面保護層前，為了減少來自線狀催化劑體的輻射熱的影響，使基體的溫度充分低下，而使線狀催化劑體遠離基體的表面。