[發明專利]催化劑CVD法及其裝置有效
| 申請號: | 201280059774.0 | 申請日: | 2012-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN103975093A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 松村英樹;橋本博隆 | 申請(專利權)人: | 株式會社橋本商會 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 張斯盾 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 催化劑 cvd 及其 裝置 | ||
1.一種催化劑CVD法,所述催化劑CVD法在反應室內并列地配置通過通電被加熱到1500℃至1800℃那樣的極高的溫度的鎢的線狀催化劑體和被加熱到250℃至260℃的鋁制的圓筒狀基體,向通過真空泵而成為真空狀態的反應室內依次導入SiH4和B2H6的混合氣體、SiH4和H2的混合氣體以及SiH4和NH3的混合氣體,使之與被加熱的催化劑體引起催化劑反應,使因該反應而分解生成的反應生成物到達基體,將非晶硅類膜作為電荷注入阻止層、光導電層以及表面保護層來依次堆積,其特征在于,在形成表面保護層前,為了減少來自線狀催化劑體的輻射熱的影響,使基體的溫度充分低下,而使線狀催化劑體遠離基體的表面。
2.一種催化劑CVD裝置,所述催化劑CVD裝置包括反應室、用于使反應室成為真空的真空泵、被放置在多個支撐體的每一個,并被加熱到250℃至260℃的鋁制的圓筒狀基體、用于使由圓筒狀保持器保持的圓筒狀基體旋轉的裝置、被插入圓筒狀基體內,并用于對基體進行加熱控制的加熱·冷卻裝置、與圓筒狀基體并排地被配置,通過通電被加熱到1500℃至1800℃那樣的極高的溫度的鎢的線狀催化劑體、用于依次向前述反應室導入SiH4和B2H6、H2以及NH3的混合氣體的裝置、用于從反應室將廢氣排氣的裝置,其特征在于,包括電極支撐框、被放置在該上下的電極上的多根鎢的線狀催化劑體、使電極支撐框可在與圓筒狀基體的長邊方向軸線垂直的方向移動,且從殼體的頂板懸垂支撐的裝置、用于為使線狀催化劑體挨近或遠離圓筒狀基體而使電極支撐框相對于圓筒狀基體移動的裝置。
3.如權利要求2所述的催化劑CVD裝置,其特征在于,圓筒狀基體經不銹鋼制的墊片各重疊地配置2根,被重疊的圓筒狀基體由不銹鋼制的按壓筒從上下保持,被放置在支撐體的每一個,反應室由在前面具有開口的殼體和關閉該開口的門構成,門具備在其下方位置和上方位置從門的內面向反應室內延伸的用于前述支撐體的支撐托架和具有用于接收由圓筒狀基體以及圓筒狀保持器構成的筒集合體的孔的保持板,伴隨著門的打開,經圓筒狀保持器被放置在支撐托架支撐體上的圓筒狀基體被拉出,或者在反應室外經圓筒狀保持器將圓筒狀基體放置在支撐體,此后,伴隨著門的關閉,圓筒狀基體被收納在反應室內。
4.如權利要求2所述的催化劑CVD裝置,其特征在于,用于使圓筒狀基體旋轉的裝置包括由托架旋轉自由地支撐,并與支撐體連結的齒輪列;和具有因門的閉鎖而與齒輪列的1個嚙合,并因門的開放而脫開的小齒輪,且外裝于殼體的底壁的馬達。
5.如權利要求2所述的催化劑CVD裝置,其特征在于,使電極支撐框可在與圓筒狀基體的長邊方向軸線垂直的方向移動,且從殼體的頂板進行懸垂支撐的裝置包括被固定在電極支撐框上的移動框、被固定在頂板上的一對安裝部件和用于經滑動軸承將移動框裝配在安裝部件上的構件,用于使電極支撐框相對于圓筒狀基體移動的裝置包括被固定在移動框上的齒條;和具有與該齒條嚙合的小齒輪,并且被外裝在殼體的頂板壁上的馬達,所述移動框被固定在電極支撐框上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





