[發明專利]阻氣膜和阻氣膜的制造方法

有效

• 申請號: 201280058784.2
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN103958183A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 永繩智史;鈴木悠太
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;苗堃

技術領域

本發明涉及阻氣膜和阻氣膜的制造方法。特別涉及具有優異的阻氣性的同時具有極優異的透明性、且抑制了著色的阻氣膜和這種阻氣膜的制造方法。

背景技術

以往，為了成為有機EL元件用的玻璃基板的代替品，提出了以具有優異的阻氣性、并且制造時間短為特征的阻氣膜的制造方法等(例如，參照專利文獻1)。

更具體而言，專利文獻1中記載的阻氣膜的制造方法，其特征在于，對在基材上的至少一面涂布含有全氫聚硅氮烷的液體并對其進行加熱干燥而成的聚硅氮烷膜實施常壓等離子體處理或者真空等離子體處理，形成作為水蒸氣阻隔性的指標的水蒸氣透過率(WVTR)為1g/(m²·日)以下且厚度0.01～5μm的阻氣膜。

另外，為了應用于有機光電轉換元件用的樹脂基材，提出了具備有極高阻氣性的硅氧化物薄膜的阻氣膜的制造方法(例如，參照專利文獻2)。

更具體而言，專利文獻2中記載的阻氣膜的制造方法，其特征在于，在基材上的至少一面涂布含有硅的液體，在20～120℃干燥形成硅薄膜后，通過使用了含有機硅化合物和氧的反應性氣體的等離子體CVD法在硅薄膜上形成硅氧化物薄膜。

另外，提出了具備阻氣性不降低且透明性優異的含碳的氧化硅膜的阻氣膜(例如，參照專利文獻3)。

更具體而言，專利文獻3中記載的阻氣膜，其特征在于，在基材膜上的至少一面形成膜厚為5～300nm的含碳的氧化硅膜，含碳的氧化硅膜的碳原子(C)與硅原子(Si)的組成比(C/Si)為超過0且1以下的范圍，且著色度(YI)為1.0～5.0的范圍。

并且，為了提供透射率和色調優異的阻氣膜，提出了具備硅含量、氧含量以及氮含量不同的區域A、B、C的阻氣膜及其制造方法(例如，參照專利文獻4)。

更具體而言，專利文獻4中記載的阻氣膜包含氧含量比氮含量多的區域A和氮含量比氧含量多的區域B，且在該區域A和區域B之間包含區域C，在該區域C中，區域A的氧含量逐漸減少，并且氮含量向區域B逐漸增加。該阻氣膜是在基材膜上朝向表面按區域ACB、區域BCA、或者區域ACBCA的順序配置各區域而成的。

專利文獻1：日本特開2007-237588號公報

專利文獻2：日本特開2011-26645號公報

專利文獻3：日本特開2010-158832號公報

專利文獻4：日本特開2009-196155號公報

發明內容

然而，專利文獻1中公開的阻氣膜的制造方法雖然對聚硅氮烷膜進行常壓等離子體處理或者真空等離子體處理，但對等離子體處理后的阻隔層沒有任何考慮，因此發現阻氣性仍然較低、或者阻氣性波動等問題。

另外，專利文獻2中公開的阻氣膜的制造方法必須利用等離子體CVD法在規定的硅薄膜(聚硅氮烷膜等)上形成更多種類的硅氧化物薄膜。

因此，發現阻氣膜的薄膜化、連續制膜變得困難，或者作為基底的硅薄膜與利用等離子體CVD法形成的硅氧化物薄膜之間的密合性不足的問題。

另外，對于專利文獻3中公開的阻氣膜的制造方法，發現得到的阻氣膜的阻氣性仍然較低，或者阻氣性波動，進而耐久性等不足的問題。

另外，專利文獻4中公開的阻氣膜及其制造方法由于在多層結構的一部分中含有氮量比氧量多的區域B，所以發現得到的阻氣膜著色(泛黃)，或者透明性降低，進而阻氣性仍然不充分的問題。

而且，也發現由于反復多個成膜步驟來形成各區域A～C，所以制造工序復雜，生產率差的問題。

因此，本發明的發明人等經過深入研究，結果發現對于在基材上具備阻氣層的阻氣膜而言，通過該阻氣層具有折射率不同的區域，能夠得到具有優異的阻氣性的同時具有極優異的透明性、且抑制了著色的阻氣膜，從而完成了本發明。

即，本發明的目的在于提供具有優異的阻氣性的同時具有極優異的透明性、且抑制了著色(泛黃)的阻氣膜和有效率地得到這種阻氣膜的阻氣膜的制造方法。

根據本發明，可以提供一種阻氣膜，其特征在于，是在基材上具備阻氣層的阻氣膜，所述阻氣層是向聚硅氮烷層注入離子而形成的，將阻氣層的與基材相接的面設為基材側，將其相反的面設為表面側時，阻氣層從表面側向基材側具有折射率不同的第1區域和第2區域，第1區域中的折射率為1.50～1.68的范圍內的值，第2區域中的折射率為1.40以上且小于1.50的范圍內的值，從而解決上述問題。

即，阻氣層通過具有折射率為規定范圍的較高的第1區域和折射率為規定范圍的較低的第2區域，從而能夠具有優異的阻氣性，并且得到極優異的透明性。