[發明專利]阻氣膜和阻氣膜的制造方法有效
| 申請號： | 201280058784.2 | 申請日： | 2012-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN103958183A | 公開（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發明（設計）人： | 永繩智史;鈴木悠太 | 申請（專利權）人： | 琳得科株式會社 |
| 主分類號： | B32B9/00 | 分類號： | B32B9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 阻氣膜 制造 方法 | ||
1.一種阻氣膜，其特征在于，是在基材上具備阻氣層的阻氣膜，所述阻氣層是向聚硅氮烷層注入離子而形成的，將阻氣層的與基材相接的面設為基材側，將其相反的面設為表面側時，
所述阻氣層從表面側向基材側具有折射率不同的第1區域和第2區域，
所述第1區域中的折射率為1.50～1.68的范圍內的值，并且，所述第2區域中的折射率為1.40以上且小于1.50的范圍內的值。
2.根據權利要求1所述的阻氣膜，其特征在于，所述第1區域中的膜密度為2.3～3.0g/cm3的范圍內的值。
3.根據權利要求1或2所述的阻氣膜，其特征在于，所述第1區域的厚度為10～30nm的范圍內的值。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的阻氣膜，其特征在于，在所述第1區域中，將由XPS測定的氧量設為Xmol％、氮量設為Ymol％、硅量設為Zmol％時，X/Z為1.0～2.5的范圍內的值，Y/Z為0～0.5的范圍內的值。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的阻氣膜，其特征在于，在所述第1區域中，將由XPS測定的氧量設為Xmol％、硅量設為Zmol％時，X/Z的變化曲線具有極小點。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的阻氣膜，其特征在于，所述阻氣膜的總光線透射率Tt為88％以上的值，黃色度YI為4以下的值。
7.一種阻氣膜的制造方法，其特征在于，是在基材上具備阻氣層的阻氣膜的制造方法，包括下述工序(1)～(3)，
(1)聚硅氮烷層形成工序，在所述基材上形成聚硅氮烷層，
(2)風干工序，進行所述聚硅氮烷層的風干，
(3)離子注入工序，對所述聚硅氮烷層注入離子，形成從表面側向基材側具有第1區域和第2區域的阻氣層，所述第1區域的折射率為1.50～1.68的范圍內的值，所述第2區域的折射率為1.40以上且小于1.50的范圍內的值。
8.根據權利要求7所述的阻氣膜的制造方法，其特征在于，將所述風干工序后且所述離子注入工序前的所述聚硅氮烷層的折射率設為1.48～1.63的范圍內的值。
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