[發明專利]包括多個排氣端口的基板處理裝置及方法

有效

• 申請號: 201280056561.2
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103946955B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 梁日光;諸成泰;宋炳奎;金龍基;金勁勛;申良湜
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司11285
• 代理人: 楊勇,鄭建暉

技術領域

本發明涉及一種基板處理裝置，尤其涉及一種包括多個排氣端口的基板處理裝置及方法。

背景技術

常用的選擇性外延工藝(selective?epitaxy?process)伴隨沉積反應及蝕刻反應。沉積及蝕刻反應對多晶層及外延層以相對不同的反應速度同時發生。沉積工藝中，在至少一個第二層上，在現有的多晶層及/或非晶層沉積的期間，外延層在單晶表面上形成。但是沉積的多晶層一般比外延層以更快的速度蝕刻。因此，通過改變腐蝕氣體的濃度，網狀選擇性工藝(net?selective?process)可以實現外延材料的沉積、和受限或不受限的多晶材料的沉積。例如，選擇性外延工藝可以實現，沉積物不殘留在墊片上并在單晶硅表面上形成含硅材料的外延層(epilayer)。

選擇性外延工藝一般具有幾個缺點。在這種外延工藝中，前驅體的化學濃度及反應溫度在沉積工藝上進行調節及調整，以保持選擇性。若供應不充足的硅前驅體，則使蝕刻反應活化而導致整體工藝遲緩。另外，會對基板表面的蝕刻產生不利影響。若供應不充足的腐蝕液前驅體，則會使沉積反應在整個基板表面上形成單晶及多晶材料的選擇性(selectivity)減少。另外，常用的選擇性外延工藝一般需要高反應溫度如約800℃、約1000℃、或更高的溫度。這種高溫會使得在基板表面產生不被控制的氮化反應及熱移動(thermal?budge)，因此在制造工藝中并不優選。

發明內容

發明要解決的課題

本發明的目的在于提供一種能夠有效地處理載置空間及排氣空間的排氣的基板處理裝置及方法。

本發明的另一目的在于提供一種能夠防止在下部腔室內沉積反應性氣體的基板處理裝置及方法。

本發明的其他目的可以通過下述詳細的說明和附圖進一步明確。

解決課題的方法

根據本發明一實施方案，一種用于實現對基板的工藝的基板處理裝置，其包括：下部腔室，其上部打開，并在一側形成有用于使所述基板進出的通道；外部反應管，其用于關閉所述下部腔室中打開的上部，并提供實現所述工藝的工藝空間；基板支架，其以上下方向載置一個以上的所述基板，并可以轉換到在所述基板支架內載置所述基板的載置位置、或對所述基板實現所述工藝的工藝位置；一個以上的供應噴嘴，其沿著所述外部反應管的內壁配置，并具有用于噴出所述反應性氣體的供應口；一個以上的排氣噴嘴，其沿著所述外部反應管的內壁配置，并具有用于吸入所述工藝空間內的未反應性氣體及反應副產物的排氣口；以及后端排氣線，其與所述排氣噴嘴連接，并用于排出通過所述排氣口吸入的所述未反應性氣體及所述反應副產物，所述下部腔室具有：排氣端口，其用于連接所述排氣噴嘴和所述后端排氣線；和輔助排氣端口，其用于將形成在所述下部腔室內部的載置空間連接于所述后端排氣線。

所述基板支架可以在所述載置位置位于所述載置空間內，并在所述工藝位置位于所述工藝空間內。

所述基板處理裝置可以進一步包括：輔助排氣線，其與所述輔助排氣端口連接；和第一輔助排氣閥，其用于開閉所述輔助排氣線，所述第一輔助排氣閥在進行工藝前打開所述輔助排氣線而對所述載置空間的內部進行排氣。

所述基板處理裝置可以進一步包括：輔助排氣線，其與所述輔助排氣端口連接；第一輔助排氣閥，其用于開閉所述輔助排氣線；前端排氣線，其用于連接所述排氣端口和所述后端排氣線；泵，其設置在所述前端排氣線上，并用于對所述前端排氣線的內部進行抽氣；主排氣閥，其設置在所述前端排氣線上，并用于開閉所述前端排氣線；第二輔助排氣閥，其設置在所述第一輔助排氣閥的后端，并用于開閉所述輔助排氣線；連接線，其用于連接所述輔助排氣線和所述前端排氣線，且一端連接于所述第一輔助排氣閥和第二輔助排氣閥之間而另一端連接于所述泵的前端；以及連接閥，其設置在所述連接線上，并用于開閉所述連接線，在進行工藝前，所述第一輔助排氣閥、所述連接閥、及主排氣閥呈打開狀態，所述第二輔助排氣閥呈關閉狀態。