[發明專利]帶涂層坩堝和制造帶涂層坩堝的方法

無效

• 申請號: 201280055194.4
• 申請日: 2012-09-10
• 公開（公告）號: CN104066873A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: R.B.布拉姆霍爾;D.富克斯;W.范登赫克
• 申請（專利權）人: 英諾文特科技公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 成城;傅永霄

技術領域

公開的實施例大體涉及帶涂層坩堝和制造帶涂層坩堝的方法，并且更具體地涉及用于晶體生長設備中的帶涂層坩堝和制造帶涂層坩堝的方法。

背景技術

熔爐系統（例如晶體生長系統）以及其他過程之中的方法被用作例如藍寶石或者其他晶體的晶體的生長的制造系統和技術。這樣的系統可以包括將籽晶放置在坩堝內并且進一步將填料放置在坩堝內，其中填料連同籽晶被加熱從而形成熔體，且同時保持籽晶的一部分完好無損。熔體被維持在與籽晶均質的溫度并且以受控方式被冷卻，以便使得籽晶連續生長成較大的晶體。問題在于，在熔化過程或其他階段期間，坩堝材料可能會污染晶體材料。另一問題在于，一旦冷卻就可能難以在沒有過大困難且不損壞或毀壞晶體或坩堝的情況下從坩堝移除最終的較大晶體。因此，需要一種晶體生長系統，其在沒有過大損壞和費用的情況下制造高純度晶體。

附圖說明

結合附圖，在下述描述中將解釋實施例的上述方面和其他特征。

圖1示出示例性晶體生長系統的視圖；

圖2示出坩堝沉積系統的視圖；

圖3示出坩堝沉積系統的視圖；

圖4示出坩堝的俯視圖；

圖5示出坩堝的截面圖；

圖6示出坩堝的截面圖；

圖7示出坩堝的截面圖；

圖8示出坩堝壁的局部截面圖；

圖9示出坩堝的截面圖；

圖10示出在晶錠移除系統中的坩堝的局部截面圖；

圖11示出晶錠移除系統的視圖；以及

圖12示出流程圖。

具體實施方式

雖然將參考附圖中示出的實施例描述本發明實施例，但是應該理解的是，實施例能夠被實現成實施例的許多替代性形式。此外，可以使用任何合適尺寸、形狀或者類型的元件或材料。

現在參考圖1，示出了晶體生長系統200，其適合于使用本發明公開的實施例的制造過程。示例性晶體生長系統200可以是用于使得單個晶體（例如藍寶石或其他晶體）生長的熔爐。晶體生長系統200具有形成腔室的外殼202，在晶體生長過程期間所述外殼可以根據需要被冷卻。在腔室202內的是絕熱元件204、加熱元件206和坩堝210，其中坩堝210可以具有在下文被進一步詳述的特征。例如，系統200可以具有在2011年7月28日公布的且名稱為“Crystal Growth Methods and Systems”的美國專利公布2011/0179992A1中所公開的特征，該文獻的全部內容被并入本文以供參考。在操作中，籽晶212（例如藍寶石）可以根據需要被定向并且放置在坩堝的底部上位于內部并且被填料214圍繞且覆蓋。坩堝被加熱到稍高于填料的熔化溫度以用于均質化且同時保持籽料212的一部分完好無損。坩堝210的底部以預定速率被冷卻，這例如通過從加熱區域206抽出坩堝210或者通過受控地冷卻坩堝的底部或其他部分實現，其中，當熔體隨著溫度降低而以冷卻速率固化時，晶體生長，最終在坩堝210內形成晶體晶錠220。在操作中，可以通過毀壞坩堝210從坩堝210移除晶錠220，或者可以以如下文被詳細描述的方式在不毀壞或損壞坩堝的情況下使得晶錠被移除從而坩堝可以被再次使用。一旦被移除，則較大的晶體晶錠220可以被掏芯以便產生大致筒形錠以及被切片或其他方式切割以便產生晶片或其他適當形狀。使用所公開的實施例并且如參考帶涂層坩堝210所描述的，與使用無涂層坩堝相比，包芯錠會較大并且產生較高產量。