[發明專利]帶涂層坩堝和制造帶涂層坩堝的方法

無效

• 申請號: 201280055194.4
• 申請日: 2012-09-10
• 公開（公告）號: CN104066873A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: R.B.布拉姆霍爾;D.富克斯;W.范登赫克
• 申請（專利權）人: 英諾文特科技公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 成城;傅永霄

1. 一種可重復使用的坩堝，所述坩堝用于在所述坩堝的內部容積的一部分內形成晶錠，所述坩堝包括：

形成所述內部容積的坩堝基材；

屏障涂層，所述屏障涂層設置于所述基材上，以使得所述坩堝基材通過設置于所述晶錠和所述坩堝基材之間的所述屏障涂層而與所述晶錠分隔開；以及，

所述屏障涂層具有與所述坩堝基材的表面相一致而與所述表面上的表面特征的形狀無關的無針孔的適形且均勻的厚度，所述屏障涂層具有比所述晶錠的熔點更高的熔點。

2. 根據權利要求1所述的坩堝，其中，所述表面包括設置在所述屏障涂層和所述坩堝基材之間的擴散屏障涂層，其中所述擴散屏障涂層防止在所述屏障涂層和所述坩堝基材之間的交互擴散。

3. 根據權利要求1所述的坩堝，其中，所述屏障涂層具有為可選的n個單晶層厚度的厚度。

4. 根據權利要求1所述的坩堝，其中，所述屏障涂層相對于所述晶錠是基本不溶解的。

5. 根據權利要求1所述的坩堝，其中，所述屏障涂層具有足以防止所述晶錠和所述坩堝基材之間的交互反應的厚度。

6. 根據權利要求1所述的坩堝，其中，所述屏障涂層具有小于500nm的厚度。

7. 根據權利要求1所述的坩堝，其中，在所述屏障涂層和所述坩堝基材之間不存在原生氧化物的情況下，在所述坩堝基材上提供所述屏障涂層。

8. 一種用于在坩堝的內部容積的一部分內形成藍寶石晶錠的坩堝，所述坩堝包括：

形成所述內部容積的鉬基材；

貴金屬屏障涂層，所述貴金屬屏障涂層設置于所述鉬基材上，以使得所述鉬基材通過設置于所述藍寶石晶錠和所述鉬基材之間的所述貴金屬屏障涂層而與所述藍寶石晶錠分隔開；以及

所述貴金屬屏障涂層具有與所述坩堝基材的表面相一致的無針孔、非多孔性且均勻的適形厚度，所述貴金屬屏障涂層具有比所述藍寶石晶錠的熔點更高的熔點。

9. 根據權利要求8所述的坩堝，其中，所述表面包括設置在所述貴金屬屏障涂層和所述鉬基材之間的擴散屏障涂層，其中所述擴散屏障涂層防止在所述貴金屬屏障涂層和所述鉬基材之間的交互擴散。

10. 根據權利要求8所述的坩堝，其中，所述貴金屬屏障涂層具有為可選的n個單晶層厚度的厚度。

11. 根據權利要求8所述的坩堝，其中，所述貴金屬屏障涂層相對于所述藍寶石晶錠是基本不溶解的。

12. 根據權利要求8所述的坩堝，其中，所述貴金屬屏障涂層具有足以防止所述藍寶石晶錠和所述鉬基材之間的交互反應的厚度。

13. 根據權利要求8所述的坩堝，其中，所述貴金屬屏障涂層具有小于500nm的厚度。

14. 根據權利要求8所述的坩堝，其中，在所述貴金屬屏障涂層和所述鉬基材之間不存在原生氧化物的情況下，在所述鉬基材上提供所述貴金屬屏障涂層。

15. 一種形成坩堝的方法，所述坩堝用于在所述坩堝的內部容積的一部分內形成晶錠，所述方法包括：

提供坩堝基材；

清潔所述坩堝基材；以及

在所述坩堝基材的至少一部分上涂覆屏障涂層，所述屏障涂層具有與所述坩堝基材的表面相一致而與所述表面上的表面特征的形狀無關的無針孔的適形且均勻的厚度，所述屏障涂層具有比所述晶錠的熔點更高的熔點。

16. 根據權利要求15所述的形成坩堝的方法，清潔所述坩堝基材包括：與所述涂覆原位地從所述坩堝基材去除原生氧化物，其中在所述屏障涂層和所述坩堝基材之間不存在所述原生氧化物的情況下，在所述坩堝基材上提供所述屏障涂層。

17. 根據權利要求15所述的形成坩堝的方法，其中，在涂覆時，所述坩堝基材形成真空腔的至少一部分。

18. 根據權利要求15所述的形成坩堝的方法，其中，所述涂覆包括使用原子層沉積的涂覆。

19. 根據權利要求15所述的形成坩堝的方法，其中，所述涂覆包括使用等離子體增強原子層沉積的涂覆。

20. 根據權利要求15所述的形成坩堝的方法，其中，所述涂覆包括使用碳氣相沉積的涂覆。