[發明專利]濺射靶及其制造方法

無效

• 申請號: 201280054849.6
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN103917689A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 張守斌;小路雅弘
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B22F3/14;H01L31/0445
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種濺射靶，其特征在于，所述濺射靶具有如下的成分組成：

含有Cu、In、Ga及Se，另外，以NaF化合物、Na₂S化合物或Na₂Se化合物中的至少一種狀態并以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05～5原子％的比例來含有Na，氧濃度為200～2000重量ppm，剩余部分由不可避免的雜質構成。

2.根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，

所述濺射靶具有Na化合物相分散于由Cu、Ga、In及Se構成的靶基體中的組織，并且所述Na化合物相的平均粒徑為5μm以下。

3.根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，

所述濺射靶以合金的形態來含有靶基體中的Ga。

4.根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，

所述濺射靶以四元合金的形態來含有靶基體中的Cu、Ga、In及Se。

5.根據權利要求4所述的濺射靶，其特征在于，

在基于粉末X射線衍射法的定性分析中，所述四元合金為黃銅礦型CuInSe₂相與CuGaSe₂相的固溶體合金相。

6.根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，

Cu、In、Ga及Se的組成范圍以原子比設定為Cu:In:Ga:Se＝X:Y:1-Y:Z，其中0.8＜X＜1.05、0.5＜Y＜0.95、1.90＜Z＜2.5。

7.一種濺射靶的制造方法，其特征在于，其為制造權利要求1所述的濺射靶的方法，

制作包含下述粉末的混合粉末來作為原料粉末：NaF粉末、Na₂S粉末或Na₂Se粉末中的至少一種，Se粉末或由Cu與Se構成的Cu-Se合金粉末中的至少一種，In粉末或由Cu與In構成的Cu-In合金粉末，以及由Cu與Ga構成的Cu-Ga合金粉末或由Cu、In及Ga構成的Cu-In-Ga三元系合金粉末中的至少一種，并且將該混合粉末在真空或惰性氣體氣氛中通過熱加壓進行燒結。

8.一種濺射靶的制造方法，其特征在于，其為制造權利要求4所述的濺射靶的方法，

將NaF粉末、Na₂S粉末、Na₂Se粉末中的至少一種與由Cu、Ga、In及Se構成的黃銅礦型四元合金粉末的混合粉末在真空或惰性氣體氣氛中通過熱加壓進行燒結。