[發明專利]透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法

在審

• 申請號: 201280054747.4
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN103917364A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 末永修也;三樹泰
• 申請（專利權）人: 三菱瓦斯化學株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B18/00;B32B27/34;B32B37/00;B32B38/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其包括下述工序：在由具有下式(I)所示的重復單元的聚酰亞胺形成的透明聚酰亞胺薄膜的至少一側的面上涂布包含聚硅氮烷的溶液之后，在180℃以上的溫度下進行焙燒從而層疊硅氧化物層的工序，

式(I)中，R為環狀結構、非環狀結構或具有環狀結構和非環狀結構的、碳數4～10的4價基團，Φ為由脂肪族結構單元、脂環族結構單元、芳香族結構單元、有機硅氧烷結構單元或它們的組合或者它們重復而形成的碳數2～39的2價的連接基，在Φ的主鏈中可以夾有選自由-O-、-SO₂-、-CO-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C₂H₄O-、以及-S-組成的組中的至少1種基團。

2.根據權利要求1所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述透明聚酰亞胺薄膜的由差示掃描量熱測定獲得的玻璃化轉變溫度為250℃以上、且總透光率為80％以上。

3.根據權利要求1或2所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述式(I)中的R為從環己烷去掉4個氫原子而形成的4價基團。

4.根據權利要求1～3的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述硅氧化物層的厚度為0.1～2.0μm。

5.根據權利要求1～4的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述包含聚硅氮烷的溶液含有鈀催化劑。

6.根據權利要求1～5的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其還包括在所述硅氧化物層之上通過物理蒸鍍法或化學蒸鍍法層疊由硅氧化物和/或硅氧氮化物形成的層的工序。

7.根據權利要求1～6的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其還包括在所述硅氧化物層之上層疊由氧化銦和氧化錫的混合物形成的透明導電膜層或由氧化鋅形成的透明導電膜層的工序。

8.根據權利要求1～7的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述透明耐熱阻氣性薄膜用于電子裝置用構件。