[發明專利]粉末的電解制備

有效

• 申請號: 201280054140.6
• 申請日: 2012-10-04
• 公開（公告）號: CN104024482B
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 卡爾蒂克·拉奧;詹姆斯·迪恩;露西·格蘭杰;約翰·克利福德;梅爾基奧雷·康蒂;詹姆斯·柯林斯
• 申請（專利權）人: 金屬電解有限公司
• 主分類號: C25C5/04
• 分類號: C25C5/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,彭鯤鵬

1.一種制備金屬粉末的方法，其包括以下步驟：

在電解槽內布置與熔融鹽接觸的陰極和陽極；

在所述電解槽內布置一定體積的包含多個非金屬的粒子的原料，其中所述原料具有通過D90粒度和D10粒度限定的粒度分布，其中D90為90％數量的粒子位于其下的粒度值，而D10為10％數量的粒子位于其下的粒度值，其中原料的D90粒度比所述原料的D10粒度大不超過100％，以及其中構成所述原料的所述粒子具有小于5mm的平均粒徑；

使熔融鹽流過所述體積的原料；以及

在所述陰極與所述陽極之間施加電位以使得所述原料被還原成金屬，其中所述原料在相鄰的原料粒子之間不存在燒結的情況下被還原以使得能夠回收平均直徑略低于構成所述原料的所述粒子的平均直徑的金屬粉末。

2.根據權利要求1所述的制備金屬粉末的方法，其中所述體積的原料被布置在所述陰極的上表面上并且所述陽極的下表面相對所述原料和所述陰極的所述上表面垂直隔開。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于60μm與3mm之間的所述平均粒徑。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于250μm與2.5mm之間的所述平均粒徑。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于500μm與2mm之間的所述平均粒徑。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述原料的D10粒度大于60μm和所述原料的D90粒度小于3mm。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述原料為尚未沉降或壓實的松裝原料。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述原料具有大于43％的空隙度。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述原料具有介于44％與54％之間的空隙度。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子不含孔隙。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述粒子的密實度大于90％。

12.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述粒子的密實度大于95％。

13.根據權利要求1或2中任一項所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子為多孔的。

14.根據權利要求1或2中任一項所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于10％與50％之間的孔隙率。

15.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于3.5g/cm³與7.5g/cm³之間的密度。

16.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于3.75g/cm³與7.0g/cm³之間的密度。

17.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于4.0g/cm³與6.5g/cm³之間的密度。

18.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子具有介于4.2g/cm³與6.0g/cm³之間的密度。

19.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子為結晶的并且具有大于10μm的平均微晶尺寸。

20.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子為結晶的并且具有大于50μm的平均微晶尺寸。

21.根據權利要求1或2所述的方法，其中構成所述原料的所述粒子為結晶的并且具有大于100μm的平均微晶尺寸。

22.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述原料的平均微晶尺寸大于平均粒度的10％。

23.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述原料的平均微晶尺寸大于平均粒度的20％。