[發(fā)明專利]納米線場效應(yīng)晶體管器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280054033.3
• 申請日: 2012-10-16
• 公開（公告）號: CN103930977A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·邦薩倫提普;G·M·科昂;J·W·斯雷特
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 牛南輝;于靜

1.一種形成場效應(yīng)晶體管器件的方法，所述方法包括：

在襯底之上形成懸置的納米線；

在所述襯底的一部分上并圍繞所述納米線的一部分形成虛設(shè)柵極疊層；

去除所述納米線的暴露部分；

從所述納米線的暴露部分外延生長納米線擴展部分；

在所述襯底的暴露部分、所述虛設(shè)柵極疊層以及所述納米線擴展部分之上沉積半導(dǎo)體材料層；以及

去除所述半導(dǎo)體材料的部分以形成鄰近所述虛設(shè)柵極疊層設(shè)置并接觸所述納米線擴展部分的側(cè)壁接觸區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體材料層包括非晶半導(dǎo)體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述半導(dǎo)體材料的部分通過反應(yīng)離子蝕刻工藝執(zhí)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述納米線包括半導(dǎo)體材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中由以下步驟形成所述虛設(shè)柵極：

在所述襯底的暴露部分和所述納米線之上沉積光刻可構(gòu)圖介電層；

通過之后是顯影的電子束曝光構(gòu)圖所述光刻可構(gòu)圖介電層以限定所述虛設(shè)柵極區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括注入摻雜劑到所述納米線擴展部分和所述側(cè)壁接觸區(qū)域中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述側(cè)壁接觸區(qū)域的暴露部分上面形成硅化物；

在所述硅化物、和所述虛設(shè)柵極疊層以及所述襯底的暴露部分之上沉積覆蓋層；

去除所述覆蓋層的部分以暴露所述虛設(shè)柵極的一部分；

去除所述虛設(shè)柵極的一部分以暴露所述納米線；

在所述納米線的暴露部分之上沉積介電層；

在所述介電層之上沉積導(dǎo)電層；以及

在所述導(dǎo)電層的暴露部分之上形成覆蓋層。

8.一種形成場效應(yīng)晶體管器件的方法，所述方法包括：

在襯底之上形成懸置的納米線；

在所述襯底的一部分上并圍繞所述納米線的一部分形成虛設(shè)柵極疊層；

去除所述納米線的暴露部分；

去除所述虛設(shè)柵極疊層的一部分以進一步暴露所述納米線的部分；

在所述襯底的暴露部分、所述柵極疊層以及所述納米線的所述暴露部分之上沉積半導(dǎo)體材料層；以及

去除所述半導(dǎo)體材料的部分以形成鄰近所述虛設(shè)柵極疊層設(shè)置并接觸所述納米線的側(cè)壁接觸區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述半導(dǎo)體材料層包括非晶半導(dǎo)體材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中通過反應(yīng)離子蝕刻工藝執(zhí)行去除所述半導(dǎo)體材料的部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述納米線包括半導(dǎo)體材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中通過以下步驟形成所述虛設(shè)柵極：

在所述襯底的暴露部分和所述納米線之上沉積光刻可構(gòu)圖介電層；

通過之后是顯影的電子束曝光構(gòu)圖所述光刻可構(gòu)圖介電層以限定所述虛設(shè)柵極區(qū)域；

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進一步包括注入摻雜劑到所述納米線的部分和所述側(cè)壁接觸區(qū)域中。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進一步包括：

在所述側(cè)壁接觸區(qū)域的暴露部分上形成硅化物；

在所述硅化物、和所述虛設(shè)柵極疊層以及所述襯底的暴露部分之上沉積覆蓋層；

去除所述覆蓋層的部分以暴露所述虛設(shè)柵極的一部分；

去除所述虛設(shè)柵極的一部分以暴露所述納米線；

在所述納米線的暴露部分之上沉積介電層；

在所述介電層之上沉積導(dǎo)電層；以及

在所述導(dǎo)電層的暴露部分之上形成覆蓋層。