[發明專利]制造碳化硅半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201280053966.0
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN103946431A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 本家翼;原田真
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;H01L21/336;H01L21/66;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種制造碳化硅半導體器件(100)的方法，包括以下步驟：

制備具有第一主表面(1)以及與所述第一主表面相反的第二主表面(2)的碳化硅襯底(80)；以及

在所述第一主表面上形成電極(112)，

所述碳化硅襯底具有六方晶體結構，

所述第一主表面相對于{0001}面具有±8°或更小的偏離角(OA)，

所述第一主表面具有以下性質：當用具有等于或大于碳化硅的帶隙的能量的激發光(LE)照射時，在所述第一主表面中以1×10⁴cm^-2或更小的密度產生處于750nm或更大的波長范圍內的發光區(3)。

2.根據權利要求1所述的制造碳化硅半導體器件的方法，進一步包括在所述第二主表面上形成外延層(81)的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的制造碳化硅半導體器件的方法，其中，制備所述碳化硅襯底的步驟包括在用具有等于或大于碳化硅的帶隙的能量的激發光照射所述第一主表面的同時，測量在所述第一主表面中的、處于750nm或更大的波長范圍內的所述發光區的密度的步驟。

4.根據權利要求1-3中的任何一項所述的制造碳化硅半導體器件的方法，其中，所述第一主表面具有以下性質：當用具有等于或大于碳化硅的帶隙的能量的激發光照射時，在所述第一主表面中以1×10⁴cm^-2或更小的密度產生處于390nm的波長范圍內的非發光區(4)。

5.根據權利要求1-4中的任何一項所述的制造碳化硅半導體器件的方法，其中，制備所述碳化硅襯底的步驟包括在用具有等于或大于碳化硅的帶隙的能量的激發光照射所述第一主表面的同時，測量在所述第一主表面中的、處于390nm的波長范圍內的所述非發光區的密度的步驟。