[發(fā)明專利]阻氣膜和阻氣膜的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280053719.0
• 申請(qǐng)日: 2012-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN104023971A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永繩智史;鈴木悠太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 琳得科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B32B9/00
• 分類號(hào): B32B9/00;C23C14/48
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;苗堃

1.一種阻氣膜，其特征在于，是在基材上形成阻氣層而成的阻氣膜，

所述阻氣層至少含有氧原子、硅原子、氮原子，將阻氣層的與基材相接的面作為基材側(cè)、將其相反面作為表面?zhèn)葧r(shí)，從所述表面?zhèn)瘸蛩龌膫?cè)包含利用XPS測(cè)定而測(cè)得的阻氣層中的氮量、硅量以及氧量成為以下關(guān)系的區(qū)域，

成為氧量＞硅量＞氮量的關(guān)系的第1區(qū)域，

成為硅量＞氧量＞氮量的關(guān)系的第2區(qū)域，和

成為氧量＞硅量＞氮量的關(guān)系的第3區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻氣膜，其特征在于，所述第1區(qū)域中，相對(duì)于氮量、硅量以及氧量的總計(jì)量100mol％，利用XPS測(cè)定而測(cè)得的氮量為0.1～10mol％范圍內(nèi)的值，硅量為25～49.9mol％范圍內(nèi)的值，氧量為50～74mol％范圍內(nèi)的值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的阻氣膜，其特征在于，所述第2區(qū)域中，相對(duì)于氮量、硅量以及氧量的總計(jì)量100mol％，利用XPS測(cè)定而測(cè)得的氮量為0.3～30mol％范圍內(nèi)的值，硅量為25～50mol％范圍內(nèi)的值，氧量為20～70mol％范圍內(nèi)的值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，所述第3區(qū)域中，相對(duì)于氮量、硅量以及氧量的總計(jì)量100mol％，利用XPS測(cè)定而測(cè)得的氮量為0.1～10mol％范圍內(nèi)的值，硅量為25～49.9mol％范圍內(nèi)的值，氧量為50～74mol％范圍內(nèi)的值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，所述第1區(qū)域中，從所述表面?zhèn)瘸蛩龌膫?cè)，氧量減少，并且硅量和氮量分別增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，所述第2區(qū)域中，從所述表面?zhèn)瘸蛩龌膫?cè)，具有氧量減少后增加的極小點(diǎn)，并且具有硅量和氮量分別增加后減少的極大點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，所述第3區(qū)域中，從所述表面?zhèn)瘸蛩龌膫?cè)，氧量增加并且硅量和氮量分別減少。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，

所述第1區(qū)域的折射率為低于1.5的范圍內(nèi)的值，

所述第2區(qū)域的折射率為1.5以上的值，

所述第3區(qū)域的折射率為低于1.5的值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，

所述第1區(qū)域的膜密度為低于2.30g/cm³的值，

所述第2區(qū)域的膜密度為2.30g/cm³以上的值，

所述第3區(qū)域的膜密度為低于2.30g/cm³的值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，

所述第1區(qū)域的膜厚為1～10nm的范圍內(nèi)的值，

所述第2區(qū)域的膜厚為5～30nm的范圍內(nèi)的值，

所述第3區(qū)域的膜厚為20～200nm的范圍內(nèi)的值。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其特征在于，水蒸氣透過率在40℃、90％RH的環(huán)境下為0.5g/(cm²·天)，黃色度YI為0～7的值。

12.一種阻氣膜的制造方法，其特征在于，是在基材上形成阻氣層而成的阻氣膜的制造方法，包括下述工序(1)和工序(2)，

(1)聚硅氮烷層形成工序，即在基材上形成聚硅氮烷層，

(2)等離子體離子注入工序，即向得到的聚硅氮烷層注入等離子體離子，形成如下阻氣層：將阻氣層的與基材相接的面作為基材側(cè)、將其相反面作為表面?zhèn)葧r(shí)，從所述表面?zhèn)瘸蛩龌膫?cè)包含利用XPS測(cè)定而測(cè)得的阻氣層中的氮量、硅量以及氧量成為以下關(guān)系的區(qū)域，

成為氧量＞硅量＞氮量的順序的第1區(qū)域，

成為硅量＞氧量＞氮量的順序的第2區(qū)域，和

成為氧量＞硅量＞氮量的順序的第3區(qū)域。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的阻氣膜的制造方法，其特征在于，在所述工序(1)與所述工序(2)之間包含對(duì)形成有所述聚硅氮烷層的基材進(jìn)行風(fēng)干的風(fēng)干工序。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的阻氣膜的制造方法，其特征在于，所述風(fēng)干工序的風(fēng)干條件為溫度15～35℃、24～480小時(shí)的范圍內(nèi)的值。

15.根據(jù)權(quán)利要求12～14中任一項(xiàng)所述的阻氣膜的制造方法，其特征在于，所述工序(2)中，使用氧、氮、氖、氦、氬及氪中的至少1個(gè)作為所述等離子體離子。