[發明專利]OLED的結構化有效
| 申請號: | 201280053638.0 | 申請日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN104025297A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發明(設計)人: | H.F.博爾納;H.胡姆梅 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉紅;汪揚 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 結構 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于制造包括發光區域和非發射區域的結構化有機電致發光發光器件(OLED)的方法并且涉及依照該方法制造的OLED。
背景技術
目前,標準OLED包括具有至少一個有機發光層的有機層疊層,所述有機發光層布置在應用薄膜沉積技術沉積在襯底(典型地為玻璃襯底)之上的兩個電極之間。這兩個電極之間的層和這些電極形成厚度大約為數十納米至數百納米的薄層的有機層疊層。與這兩個電極一起,該疊層在下文中表示為功能層疊層。可以關于光發射方向區分兩種不同類型的OLED。在所謂的底部發射器中,光通過透明底部電極(通常為陽極,通常由氧化銦錫(ITO)制成)和透明襯底(例如玻璃)離開OLED器件,而第二電極(典型地為由鋁制成的陰極)是反射的。在所謂的頂部發射器中,光通過透明頂部電極(例如ITO)和透明罩蓋(例如玻璃)離開OLED器件,而底部電極(例如鋁或者在反射襯底的情況下為ITO)和/或襯底是反射的。對于這些OLED而言,罩蓋是強制性的,以便防止環境(尤其是濕氣和氧氣)到達有機層疊層。底部發射OLED常用于照明目的。所謂的透明OLED是具有透明襯底和透明罩蓋的底部發射器和頂部發射器的組合。
從有機發光層生成光所需的襯底之上的功能層疊層必須被定形為服務于不同的目的,比如允許實現電接觸電極,將某些操作方案應用于功能層疊層,附接罩蓋以封閉功能層疊層和/或對發光區域定形以便提供希望的視覺效果。對OLED,尤其是功能層疊層結構化的一種常見方式是在薄膜沉積(例如蒸發)期間應用蔭罩。蔭罩提供了一層接一層內聯地沉積的處理功能層疊層的可能性。由蔭罩屏蔽的區域由于掩模的遮蔽效應的原因而未涂敷有蒸發的材料,導致結構化功能層疊層僅僅存在于襯底的非掩蓋區域中。在一些情況下,在沉積期間對于每層需要特別設計的掩模。蔭罩的一個主要缺點是對于掩蓋區域的每種不同的圖案需要一個掩模,導致需要大量掩模用于制造具有變化圖案的非發射區域的OLED。該大量的掩模使得掩模處理非常昂貴。利用蔭罩的另一個缺點是對于屏蔽區域的限制,這些區域不能完全被沉積的材料封閉。屏蔽掩模區域必須連接到承載掩模框架,導致跨OLED發光區域的至少一個小的未涂敷的廊道。
專利申請US?2010/0155496?A1公開了在襯底之上從管中靜電噴涂液體,作為制造OLED的一種可替換的無掩模工藝。該技術限于不是用于OLED的優選發光材料的有機聚合物。作為有機材料的小有機分子實現最佳的OLED性能,但是它們必須蒸發。希望的是應用這樣的結構化方法,該方法避免了蔭罩,但是允許以非干擾的方式應用常見的用于OLED的可靠制造步驟,允許使用充分證明的材料。
發明內容
本發明的目的是提供一種容易、靈活且可靠的方法,該方法允許實現OLED功能層疊層的無掩模結構化以便在維持掩模處理期間應用的用于功能層疊層的相同沉積工藝的同時提供在OLED的發光區域內包括非發射區域的OLED。
這個目的通過一種用于制造具有發光區域和非發射區域的結構化圖案的有機電致發光發光器件的方法而實現,該方法包括步驟:
-?提供至少局部地覆蓋有作為第一電極的至少一個傳導層的襯底;
-?在第一電極之上局部地沉積疊層改性層以便建立形成希望的結構化圖案的、覆蓋有疊層改性層的第一區域和鄰近第一區域的未覆蓋的第二區域;
-?在局部地涂敷有疊層改性層的第一電極之上沉積包括至少一個有機發光層的有機層疊層,從而提供這樣的有機層疊層,該有機層疊層在第一區域中通過有機層疊層與第一電極之間的疊層改性層與第一電極分開并且在第二區域中直接電接觸第一電極;以及
-?在有機層疊層之上沉積作為第二電極的傳導金屬層以便完成功能層疊層,其中疊層改性層上方的第一區域不含傳導金屬,不會掩蓋這些第一區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





