[發(fā)明專利]OLED的結(jié)構(gòu)化有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280053638.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104025297A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | H.F.博爾納;H.胡姆梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉紅;汪揚(yáng) |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 結(jié)構(gòu) | ||
1.?一種用于制造具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域的結(jié)構(gòu)化圖案的有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光器件(1)的方法,包括步驟:
-?提供(P)至少局部地覆蓋有作為第一電極(3)的至少一個(gè)傳導(dǎo)層的襯底(2);
-?在第一電極(3)之上局部地沉積(D-SML)疊層改性層(4)以便建立形成希望的結(jié)構(gòu)化圖案的、覆蓋有疊層改性層(4)的第一區(qū)域(31)和鄰近第一區(qū)域(31)的未覆蓋的第二區(qū)域(32);
-?在局部地涂敷有疊層改性層(4)的第一電極(3)之上沉積(D-OLS)包括至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光層(51)的有機(jī)層疊層(5),從而提供這樣的有機(jī)層疊層(5),該有機(jī)層疊層在第一區(qū)域(31)中通過有機(jī)層疊層(5)與第一電極(3)之間的疊層改性層(4)與第一電極(3)分開并且在第二區(qū)域(32)中直接電接觸第一電極(3);以及
-?在有機(jī)層疊層(5)之上沉積(D-SE)作為第二電極(6)的傳導(dǎo)金屬層以便完成功能層疊層(7),其中疊層改性層(4)上方的第一區(qū)域(31)不含傳導(dǎo)金屬,不會(huì)掩蓋這些第一區(qū)域(31)。
2.?依照權(quán)利要求1的方法,特征在于,疊層改性層由真空油脂組的至少一種材料制成,該組包括全氟化材料,優(yōu)選地來自內(nèi)陸真空行業(yè)Churchville紐約14428的PTFE?TEC油脂、來自杜邦的Krytox油脂,或者全氟化真空泵油,優(yōu)選地來自蘇威的Y級(jí)氟必琳、來自杜邦的Krytox流體、來自克魯勃的全氟化Tyreno流體,更優(yōu)選地Tyreno流體12/25V。
3.?依照權(quán)利要求1或2的方法,特征在于,疊層改性層(4)的沉積(D-SML)通過在第一電極(3)之上依照希望的圖案印刷(PR)而執(zhí)行。
4.?依照前面的權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法,特征在于,結(jié)構(gòu)化圖案被設(shè)計(jì)成通過將第一區(qū)域(31)布置在第二區(qū)域(32)之間,在襯底(2)之上劃分第二區(qū)域(32),允許沿著第一區(qū)域(31)切割(CT)襯底(2)而將發(fā)光第二區(qū)域(32)彼此分開,優(yōu)選地,將第二區(qū)域(32)布置成以行列布置的、條帶狀第一區(qū)域(31)介于其間的矩形狀第二區(qū)域(32)的陣列。
5.?依照前面的權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的方法,特征在于,有機(jī)層疊層(5)的沉積(D-OLS)和第二電極(6)的沉積通過應(yīng)用包括蒸發(fā)的薄膜沉積技術(shù)(VP)在真空室中執(zhí)行,其中沉積(D-SML)疊層改性層(4)的步驟在襯底(2)進(jìn)入真空室中之前執(zhí)行。
6.?依照前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的方法,特征在于,用于作為第二電極(6)的傳導(dǎo)層的材料為鋁或銀。
7.?依照前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的方法,特征在于,在沉積(D-SE)第二電極(6)之后,應(yīng)用移除步驟(R-SML)以便使用溶劑(10)將疊層改性層(4)和疊層改性層(4)之上的有機(jī)層疊層(5)從第一區(qū)域(31)中移除,該溶劑對(duì)于有機(jī)層疊層(5)具有充分的化學(xué)惰性以便不攻擊第二區(qū)域(32)之上的有機(jī)層疊層(5)。
8.?依照權(quán)利要求7的方法,特征在于,溶劑(10)是一種氟化液體材料,優(yōu)選地為3M氟化液體,更優(yōu)選地為FC-43或FC-87,以便排除由于使用溶劑而引起的任何負(fù)面壽命影響。
9.?依照權(quán)利要求7或8的方法,特征在于,移除步驟(R-SML)之后是清潔步驟(C),該清潔步驟將氧等離子體應(yīng)用到第二電極(6),優(yōu)選地限于第一區(qū)域(31)。
10.?依照權(quán)利要求7-9中任何一項(xiàng)的方法,特征在于,在完成(F-FLS)功能層疊層(7)之后,通過上膠蓋(11)或者利用薄膜封裝(12)封閉(GL,TFE)功能層疊層(7)。
11.?依照權(quán)利要求1-9中任何一項(xiàng)的方法,特征在于,在完成(F-FLS)功能層疊層(7)之后,將封閉功能層疊層(7)的罩蓋(8)附接(CL)到襯底(2),功能層疊層(7)與罩蓋(8)之間的體積先前至少部分地填充(F-SL)有第二化學(xué)惰性液體(9)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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