[發明專利]伺服寫入裝置及在磁性存儲介質中編碼伺服模式的方法

有效

• 申請號: 201280053637.6
• 申請日: 2012-10-15
• 公開（公告）號: CN103907154B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: W.卡貝拉克
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: G11B5/09
• 分類號: G11B5/09
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 黃劍飛

技術領域

本申請發明涉及一種伺服寫入裝置，用于編碼磁性存儲介質中的伺服模式。

背景技術

基于計時的伺服(TBS)是一種為線性磁帶驅動器開發的技術。在TBS系統中，所記錄的伺服模式由具有兩種不同方位角斜坡的過渡(transition)組成。頭(head)位置從由讀取相對寬的伺服模式的窄頭產生的脈沖或雙位的相對定時得出。TBS模式還允許編碼額外的縱向位置(“LPOS”)信息而不影響橫向位置誤差信號(“PES”)的產生。這一點通過從使用脈沖位置調制(PPM)的其標稱模式位置位移過渡來獲得。

線性磁帶開放(LTO)格式提供了當前中性磁帶驅動器中的伺服格式規范。歐洲計算機制造商協會(ECMA)在2001年將第1帶LTO驅動器(LTO-1)的完整格式標準化為ECMA-319。

傳統上，LPOS信息位的檢測基于在伺服讀取器輸出處觀察伺服脈沖突發(servo burst)內雙位峰值的到達時間的移位(shift)。

發明內容

提供了一種系統，包括：至少兩個伺服寫入頭，其中每個伺服寫入頭包括線圈，其上被施加電流以生成磁通，殼體的磁帶承載部分，其中所述兩個伺服寫入頭不知在所述殼體內。所述殼體的磁帶承載部分形成為包括用于每個伺服寫入頭的間隙，其中由伺服寫入頭生成的磁通向外穿過相關聯間隙以便將磁轉變，即雙位，編碼到覆蓋該間隙的一部分磁帶上。被編碼雙位包括由所述間隙的形狀所定義的形狀。

提供了一種在磁性介質中編碼伺服模式的方法。該方法利用伺服寫入裝置，該裝置包括第一伺服寫入頭和第二伺服寫入頭，第一伺服寫入頭配置為在磁性信息存儲介質中僅僅編碼包括第一方位角斜坡的第一磁性雙位，第二伺服寫入頭配置為在磁性信息存儲介質中編碼一個或多個包括第二方位角斜坡的第二磁性雙位，其中所述第一方位角斜坡不同于所述第二方位角斜坡。該方法通過對所述第一伺服寫入頭順序進行N次激勵和去激勵，對運動磁性存儲介質中的第一磁性雙位編碼N次，其中N大于或等于2。所述方法還通過對所述第二伺服寫入頭順序進行M次激勵和去激勵，對運動磁性存儲介質中的第二磁性雙位編碼M次，其中M大于或等于2，并且N可以等于或不等于M。

提供一種伺服寫入裝置，其中所述伺服寫入裝置包括處理器、計算機可讀介質、第一伺服寫入頭以及第二伺服寫入頭，第一伺服寫入頭配置為在磁性信息存儲介質中僅僅編碼包括第一方位角斜坡的第一磁性雙位，第二伺服寫入頭配置為在磁性信息存儲介質中編碼一個或多個包括第二方位角斜坡的第二磁性雙位，其中所述第一方位角斜坡不同于所述第二方位角斜坡，在所述計算機可讀介質中被編碼的計算機可讀程序代碼。其中所述伺服寫入裝置使用所述計算機可讀程序代碼進行申請人的上述方法以便編碼磁性存儲介質中的伺服模式。

提供一種在計算機可讀介質中被編碼的計算機程序產品。所述計算機程序產品可以被計算設備用來與一伺服寫入裝置通訊，該伺服寫入裝置包括處理器、第一伺服寫入頭以及第二伺服寫入頭，第一伺服寫入頭配置為在磁性信息存儲介質中僅僅編碼包括第一方位角斜坡的第一磁性雙位，第二伺服寫入頭配置為在磁性信息存儲介質中編碼一個或多個包括第二方位角斜坡的第二磁性雙位，其中所述第一方位角斜坡不同于所述第二方位角斜坡。所述處理器使用所述計算機可讀程序代碼進行申請人的上述方法以便編碼磁性存儲介質中的伺服模式。

附圖說明

通過結合附圖閱讀下面詳細描述將更好理解本發明，附圖中相同的參考標記用于指代相同元件，并且其中：

圖1圖釋了包括四個突發的伺服模式，其中那四個突發中的每一個包括多個脈沖；

圖2A圖釋了包括第一伺服寫入頭和第二伺服寫入頭的某些元件；

圖2B圖釋了包括圖2A的兩個不同伺服寫入頭的第一伺服寫入組件；

圖3A圖釋了第一間隙特征架構；

圖3B圖釋了第二間隙特征架構；

圖4A圖釋了申請人的伺服寫入裝置，包括結合有殼體的圖2B的伺服寫入組件；

圖4B圖釋了正在圖4A的伺服寫入裝置的磁帶承載表面上運行的磁性存儲介質；

圖4C圖釋了申請人的伺服寫入裝置，包括結合有殼體的三個圖2B的伺服寫入組件；

圖5圖釋了第一多個調制脈沖鏈，其被提供給第一伺服寫入組件或第二伺服寫入組件，以便將包括第一多個磁性雙位的第一伺服模式編碼到磁帶存儲介質上；

圖6圖釋了第二多個調制脈沖鏈，其被提供給第一伺服寫入組件或第二伺服寫入組件，以便將包括第二多個磁性雙位的第二伺服模式編碼到磁帶存儲介質上；