[發(fā)明專(zhuān)利]伺服寫(xiě)入裝置及在磁性存儲(chǔ)介質(zhì)中編碼伺服模式的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280053637.6
• 申請(qǐng)日: 2012-10-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103907154B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: W.卡貝拉克
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11B5/09
• 分類(lèi)號(hào): G11B5/09
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 黃劍飛

1.一種伺服寫(xiě)入裝置，包括：

第一伺服寫(xiě)入頭，配置為將第一磁性雙位編碼到磁性信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，其中所述第一磁性雙位包括第一方位角斜坡；

第二伺服寫(xiě)入頭，配置為將第二磁性雙位和第三磁性雙位編碼到磁性信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述第二磁性雙位包括第一方位角斜坡，并且所述第三磁性雙位包括第二方位角斜坡；

其中所述第一方位角斜坡不同于所述第二方位角斜坡。

2.如權(quán)利要求1所述的伺服寫(xiě)入裝置，還包括：

位于所述第一伺服寫(xiě)入頭中的第一線圈；

位于所述第二伺服寫(xiě)入頭中的第二線圈；

與所述第一線圈互聯(lián)的第一電流源；以及

與所述第二線圈互聯(lián)的第二電流源。

3.如權(quán)利要求2所述的伺服寫(xiě)入裝置，其中第一電流源或第二電流源可以被激勵(lì)，但是其中第一電流源和第二電流源不能同時(shí)被激勵(lì)。

4.如權(quán)利要求2所述的伺服寫(xiě)入裝置，還包括控制器，該控制器包括脈沖生成器，其中所述控制器與第一電流源和第二電流源進(jìn)行通訊。

5.如權(quán)利要求3所述的伺服寫(xiě)入裝置，其中所述第一伺服寫(xiě)入頭包括第一軛架，該第一軛架由鐵磁材料構(gòu)成并且形成為其中包括第一間隙，

其中所述第一線圈纏繞在所述第一軛架的一部分上。

6.如權(quán)利要求5所述的伺服寫(xiě)入裝置，其中所述第二伺服寫(xiě)入頭包括第二軛架，第二軛架由鐵磁材料構(gòu)成并且形成為其中包括第二間隙和第三間隙，其中所述第二線圈纏繞在所述第二軛架的一部分上。

7.一種伺服寫(xiě)入裝置，包括：

多個(gè)第一伺服寫(xiě)入頭，配置為編碼包括第一方位角斜坡的第一磁性雙位，其中每個(gè)第一伺服寫(xiě)入頭布置成沿著磁性信息存儲(chǔ)介質(zhì)的不同縱向軸線編碼所述第一磁性雙位；

多個(gè)第二伺服寫(xiě)入頭，配置為編碼包括第一方位角斜坡的第二磁性雙位以及包括第二方位角斜坡的第三磁性雙位，其中每個(gè)第二伺服寫(xiě)入頭布置成沿著磁性信息存儲(chǔ)介質(zhì)的不同縱向軸線編碼所述第二磁性雙位和所述第三磁 性雙位；

其中所述第一方位角斜坡不同于所述第二方位角斜坡。

8.如權(quán)利要求7所述的伺服寫(xiě)入裝置，還包括：

與所述多個(gè)第一伺服寫(xiě)入頭的每個(gè)互聯(lián)的第一電流源；以及

與所述多個(gè)第二伺服寫(xiě)入頭的每個(gè)互聯(lián)的第二電流源。

9.如權(quán)利要求8所述的伺服寫(xiě)入裝置，其中第一電流源或第二電流源可以被激勵(lì)，但是其中第一電流源和第二電流源不能同時(shí)被激勵(lì)。

10.如權(quán)利要求8所述的伺服寫(xiě)入裝置，還包括控制器，該控制器包括脈沖生成器，其中所述控制器與第一電流源和第二電流源進(jìn)行通訊。

11.一種在磁性存儲(chǔ)介質(zhì)中編碼伺服模式的方法，包括：

提供一種伺服寫(xiě)入裝置，該伺服寫(xiě)入裝置包括第一伺服寫(xiě)入頭和第二伺服寫(xiě)入頭，第一伺服寫(xiě)入頭配置為在磁性信息存儲(chǔ)介質(zhì)中編碼包括第一方位角斜坡的第一磁性雙位，第二伺服寫(xiě)入頭配置為在磁性信息存儲(chǔ)介質(zhì)中編碼包括第一方位角斜坡的第二磁性雙位以及包括第二方位角斜坡的第三磁性雙位，其中所述第一方位角斜坡不同于所述第二方位角斜坡；

通過(guò)N次對(duì)所述第一伺服寫(xiě)入頭順序進(jìn)行激勵(lì)和去激勵(lì)，對(duì)運(yùn)動(dòng)磁性存儲(chǔ)介質(zhì)中的第一磁性雙位編碼N次，其中N大于或等于2；以及

通過(guò)M次對(duì)所述第二伺服寫(xiě)入頭順序進(jìn)行激勵(lì)和去激勵(lì)，對(duì)運(yùn)動(dòng)磁性存儲(chǔ)介質(zhì)中的第二磁性雙位編碼M次，其中M大于或等于2。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中N等于M。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中N不等于M。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述伺服寫(xiě)入裝置還包括：

與所述第一伺服寫(xiě)入頭互聯(lián)的第一電流源；以及

與所述第二伺服寫(xiě)入頭互聯(lián)的第二電流源。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括：

激勵(lì)第一電流源或第二電流源，但是不能同時(shí)激勵(lì)第一電流源和第二電流源。