[發(fā)明專利]發(fā)光二極管、發(fā)光二極管的制造方法、發(fā)光二極管燈和照明裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280051930.9
• 申請日: 2012-10-02
• 公開（公告）號: CN103890981A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 松村篤;德永悠
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L21/205;H01L33/14
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉航;段承恩

技術領域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管、發(fā)光二極管的制造方法、發(fā)光二極管燈以及照明裝置，尤其是涉及具有優(yōu)異的光取出效率的發(fā)光二極管及其制造方法、具備該發(fā)光二極管的發(fā)光二極管燈以及照明裝置。

本申請基于在2011年10月25日在日本申請的專利申請2011-234005號要求優(yōu)先權(quán)，在此援引其內(nèi)容。

背景技術

以往，作為發(fā)出紅色、紅外線的光的發(fā)光二極管（英文簡稱為LED），例如已知具備由砷化鋁鎵（組成式Al_XGa_1-XAs，0≤X≤1）形成的發(fā)光層、由砷化銦鎵（組成式In_XGa_1-XAs，0≤X≤1）形成的發(fā)光層的發(fā)光二極管。另外，作為發(fā)出紅色、橙色、黃色或黃綠色的可見光的發(fā)光二極管，例如已知具備由磷化鋁鎵銦（組成式（Al_XGa_1-X）_YIn_1-YP，0≤X≤1，0＜Y≤1）形成的發(fā)光層的發(fā)光二極管。

另外，在具備這樣的發(fā)光層的發(fā)光二極管中，有在與基板相反側(cè)的表面設置有由焊盤（接合襯墊）和與焊盤連結(jié)的線狀部構(gòu)成的表面電極的發(fā)光二極管。

例如，在專利文獻1中記載了如下的半導體發(fā)光裝置：貫通活性層及其上側(cè)層而形成孔部，在該孔部內(nèi)的除去了活性層及其上側(cè)層的部分上隔著絕緣膜設置線接合部，將線接合部連接在線狀電極上。

在先技術文獻

專利文獻1:日本專利第4058937號公報

發(fā)明內(nèi)容

對于以往的發(fā)光二極管而言，要求使光取出效率更進一步地提高。特別是在通過大電流驅(qū)動進行高輝度發(fā)光的發(fā)光二極管中，使光取出效率提高的要求日益高漲。

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供一種能得到優(yōu)異的光取出效率的發(fā)光二極管及其制造方法、具備該發(fā)光二極管的發(fā)光二極管燈以及照明裝置。

為了達到上述的目的，本發(fā)明人著眼于與基板相反側(cè)的表面上的光的吸收而反復進行專心研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)了以下情況，并提出了本發(fā)明：通過阻礙向配置在與作為表面電極的一部分的焊盤俯視重疊的區(qū)域的發(fā)光層供給的電流，減弱焊盤的正下方的發(fā)光強度，由此減少被焊盤吸收的光即可。即，本發(fā)明采用了以下的構(gòu)成。

（1）一種發(fā)光二極管，其特征在于，具備：化合物半導體層，其被設置在基板上，依次包含發(fā)光層和蝕刻停止層；歐姆接觸電極，其被設置在所述基板與所述化合物半導體層之間；歐姆電極，其被設置在所述化合物半導體層的所述基板相反側(cè)；表面電極，其包含以覆蓋所述歐姆電極的表面的方式設置的分支部和與所述分支部連結(jié)的焊盤部；以及電流隔斷部，其被設置在所述發(fā)光層之中的、在與所述焊盤部俯視重疊的區(qū)域所配置的焊盤下發(fā)光層、和在除了與所述焊盤部俯視重疊的區(qū)域以外的區(qū)域所配置的發(fā)光層之間，阻礙向所述焊盤下發(fā)光層供給的電流。

（2）根據(jù)（1）所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部被配置成為俯視為環(huán)狀，使得包圍所述焊盤下發(fā)光層。

（3）根據(jù)（1）或（2）所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部由空間構(gòu)成。

另外，為了達到上述目的，本發(fā)明人著眼于與基板相反側(cè)的表面上的光的吸收而反復進行專心研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)了以下情況，并提出了本發(fā)明：通過僅在與作為表面電極的一部分的焊盤俯視不重疊的區(qū)域形成發(fā)光層，使得在焊盤的正下方不發(fā)光，由此減少被焊盤吸收的光即可。即，本發(fā)明采用了以下的構(gòu)成。

（4）一種發(fā)光二極管，其特征在于，具備：化合物半導體層，其被設置在基板上，依次包含發(fā)光層和蝕刻停止層；歐姆接觸電極，其被設置在所述基板與所述化合物半導體層之間；歐姆電極，其被設置在所述化合物半導體層的所述基板相反側(cè)；以及表面電極，其包含以覆蓋所述歐姆電極的表面的方式設置的分支部和與所述分支部連結(jié)的焊盤部，所述發(fā)光層僅形成在與所述焊盤部俯視不重疊的區(qū)域。

（5）根據(jù)（4）所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光層被配置成包圍配置在與所述焊盤部俯視重疊的區(qū)域的電流隔斷部。

（6）根據(jù)（1）、（2）、（4）、（5）的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部是填埋絕緣材料而成的。

（7）根據(jù)（1）、（2）、（4）、（5）的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部包含反射層和配置在所述反射層與所述化合物半導體層之間的透明絕緣材料層。

（8）根據(jù)（1）～（7）的任一項所述的發(fā)光二極管，所述基板是Ge基板、GaP基板、GaAs基板或金屬基板中的任一種。