[發明專利]發光二極管、發光二極管的制造方法、發光二極管燈和照明裝置

有效

• 申請號: 201280051930.9
• 申請日: 2012-10-02
• 公開（公告）號: CN103890981A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 松村篤;德永悠
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L21/205;H01L33/14
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉航;段承恩

1.一種發光二極管，其特征在于，具備：

化合物半導體層，其被設置在基板上，依次包含發光層和蝕刻停止層；

歐姆接觸電極，其被設置在所述基板與所述化合物半導體層之間；

歐姆電極，其被設置在所述化合物半導體層的所述基板相反側；

表面電極，其包含以覆蓋所述歐姆電極的表面的方式設置的分支部和與所述分支部連結的焊盤部；以及

電流隔斷部，其被設置在所述發光層之中的、在與所述焊盤部俯視重疊的區域所配置的焊盤下發光層、和在除了與所述焊盤部俯視重疊的區域以外的區域所配置的發光層之間，阻礙向所述焊盤下發光層供給的電流。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部被配置成為俯視為環狀，使得包圍所述焊盤下發光層。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部由空間構成。

4.一種發光二極管，其特征在于，具備：

化合物半導體層，其被設置在基板上，依次包含發光層和蝕刻停止層；

歐姆接觸電極，其被設置在所述基板與所述化合物半導體層之間；

歐姆電極，其被設置在所述化合物半導體層的所述基板相反側；以及

表面電極，其包含以覆蓋所述歐姆電極的表面的方式設置的分支部和與所述分支部連結的焊盤部，

所述發光層僅形成在與所述焊盤部俯視不重疊的區域。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述發光層被配置成包圍配置在與所述焊盤部俯視重疊的區域的電流隔斷部。

6.根據權利要求1或4所述的發光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部是填埋絕緣材料而成的。

7.根據權利要求1或4所述的發光二極管，其特征在于，所述電流隔斷部包含反射層和配置在所述反射層與所述化合物半導體層之間的透明絕緣材料層。

8.根據權利要求1或4所述的發光二極管，所述基板是Ge基板、GaP基板、GaAs基板或金屬基板中的任一種。

9.根據權利要求1或4所述的發光二極管，其特征在于，所述焊盤部俯視為圓形形狀。

10.根據權利要求1或4所述的發光二極管，其特征在于，所述發光層包含AlGaAs、InGaAs或AlGaInP的任一種。

11.根據權利要求1或4所述的發光二極管，其特征在于，所述歐姆接觸電極形成在與所述焊盤部俯視不重疊的區域。

12.一種發光二極管燈，其特征在于，具備權利要求1～11的任一項所述的發光二極管。

13.一種照明裝置，其裝載有多個權利要求1～11的任一項所述的發光二極管。

14.一種發光二極管的制造方法，是具備具有焊盤部的表面電極的發光二極管的制造方法，其特征在于，具備：

在生長用基板上形成依次包含蝕刻停止層和發光層的化合物半導體層的工序；

通過依次進行干式蝕刻法和濕式蝕刻法，在所述化合物半導體層的俯視所述焊盤部的周圍設置由貫通所述發光層的凹部形成的電流隔斷部的工序；

在所述化合物半導體層上形成歐姆接觸電極的工序；

在所述化合物半導體層的所述歐姆接觸電極側接合基板，并除去所述生長用基板的工序；

在所述化合物半導體層的與所述歐姆接觸電極相反側形成歐姆電極的工序；以及

通過以覆蓋所述歐姆電極的表面的方式形成分支部，并且形成與所述分支部連結的所述焊盤部，來形成表面電極的工序。

15.根據權利要求14所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，通過向所述凹部內填埋絕緣材料來形成所述電流隔斷部。

16.根據權利要求15所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，

形成所述歐姆接觸電極的工序包含在所述化合物半導體層上形成透光膜使得所述歐姆接觸電極貫通設置的工序，

所述絕緣材料的填埋通過在形成所述透光膜的工序中向所述凹部內埋入該透光膜來進行。

17.根據權利要求14所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，通過在所述凹部的底面和內壁沉積透明絕緣材料，并在所述凹部隔著所述透明絕緣材料填埋金屬材料，來形成所述電流隔斷部。