[發明專利]發射輻射的器件

有效

• 申請號: 201280051823.6
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103891065B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 安德烈亞斯·武伊齊克;約瑟普·馬里克;梅爾廷·豪沙爾特;弗蘭克·默爾梅爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/042
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,張春水

1.一種發射輻射的器件，具有：

-金屬的載體本體（1），所述金屬的載體本體包括用于電接觸所述器件的至少兩個連接部位（1a，1b）；

-激光二極管芯片（2），所述激光二極管芯片固定在所述金屬的載體本體（1）上并且與至少兩個所述連接部位（1a，1b）導電地連接；

-殼體（3），所述殼體局部地包圍所述金屬的載體本體（1），其中

-所述殼體（3）用塑料構成，

-所述連接部位（1a，1b）分別至少局部地沿著所述殼體（3）的底面（3a）和橫向于所述底面伸展的側面（3b）延伸，并且

-所述器件能夠借助于所述連接部位（1a，1b）進行表面安裝，使得所述底面（3a）或所述側面（3b）構成所述器件的安裝面。

2.根據上一項權利要求所述的發射輻射的器件，

所述器件能夠沿兩個取向安裝在目標位置上，其中所述底面（3a）沿第一取向構成所述器件的所述安裝面并且橫向于所述底面（3a）伸展的所述側面（3b）沿第二取向構成所述器件的所述安裝面。

3.根據上述權利要求中任一項所述的發射輻射的器件，具有在所述殼體（3）的另一側面（3c）上的輻射出射窗口（4），其中

-所述輻射出射窗口（4）朝向所述激光二極管芯片（2）的輻射出射面（2a），

-所述輻射出射窗口（4）至少在由所述激光二極管芯片（2）在工作時產生的輻射的輻射通道（4a）的區域中對于所述輻射是能穿透的，并且

-所述輻射出射窗口（4）至少在所述輻射通道（4a）的區域中具有有針對性地設定的平均粗糙度。

4.根據上一項權利要求所述的發射輻射的器件，

其中所述平均粗糙度位于由所述激光二極管芯片（2）在工作時產生的輻射的峰值波長的至少0.5至最高1.5的范圍中。

5.根據上述權利要求中任一項所述的發射輻射的器件，

其中所述激光二極管芯片（2）的不朝向所述金屬的載體本體（1）的區域鄰接于空氣或其他的氣體。

6.根據上述權利要求中任一項所述的發射輻射的器件，

其中所述金屬的載體本體（1）局部地嵌入到所述殼體（3）中。

7.根據上述權利要求中任一項所述的發射輻射的器件，

其中在所述殼體的所述底面（3a）和所述側面（3b）上分別構成有至少一個配合銷（9）。

8.根據上一項權利要求所述的發射輻射的器件，

其中所述至少一個配合銷（9）設為用于在安裝所述器件時進行調整。

9.根據上述權利要求中任一項所述的發射輻射的器件，具有：

-用于開關所述激光二極管芯片（2）的晶體管（5），和

-用于對所述激光二極管芯片供電的至少兩個電容器（6）的并聯電路，其中

-所述晶體管（5）和所述電容器（6）固定在所述金屬的載體（1）上并且與至少兩個所述連接部位（1a，1b）導電地連接，并且

-所述器件適合于產生激光脈沖。

10.根據上一項權利要求所述的發射輻射的器件，

其中所述晶體管（5）經由至少兩個接觸金屬線（7）與所述激光二極管芯片導電地連接。