[發(fā)明專利]用于物體的晶片級制造的方法以及相應(yīng)的中間產(chǎn)品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280049008.6
• 申請日: 2012-10-01
• 公開（公告）號: CN103959465B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·里爾;H·拉德曼;M·羅西
• 申請（專利權(quán)）人: 新加坡恒立私人有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G02B6/00
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;王博

1.一種用于制造物體的方法，包括以下步驟：

(a)提供包括多個(gè)半成品的晶片；

(b)將所述晶片分離成被稱為子晶片的片段，所述子晶片中的至少一個(gè)子晶片包括多個(gè)所述半成品；

(c)通過對所述至少一個(gè)子晶片進(jìn)行至少一個(gè)處理步驟來處理所述多個(gè)半成品的至少一部分，其中所述至少一個(gè)處理步驟不同于將所述至少一個(gè)子晶片分離成片段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述多個(gè)半成品被包括在所述子晶片中的情況下進(jìn)行步驟(c)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述至少一個(gè)處理步驟施加至源于步驟(b)的所述子晶片的分離面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟(c)中，

-同時(shí)處理所述多個(gè)半成品的所述部分的所有半成品；或者

-接連地處理所述多個(gè)半成品的所述部分的所有半成品。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟(c)中，通過對所述至少一個(gè)子晶片進(jìn)行至少一個(gè)處理步驟來處理所述至少一個(gè)子晶片的每個(gè)所述半成品。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述子晶片中的至少兩個(gè)各自包括多個(gè)所述半成品。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述至少一個(gè)子晶片中，所述多個(gè)半成品形成所述半成品的重復(fù)一維排列。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述至少一個(gè)子晶片中，所述多個(gè)半成品沿著一條或兩條直線排列。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)處理步驟包括由以下組成的組中的至少一個(gè)：

-復(fù)制步驟；

-機(jī)械處理步驟；以及

-化學(xué)處理步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)處理步驟包括創(chuàng)建關(guān)于橫向平面傾斜的所述子晶片的傾斜側(cè)壁。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述物體是由以下組成的組中的至少一個(gè)：

-光學(xué)元件；

-光學(xué)裝置；

-基板；

-光學(xué)子組件；

-光電模塊；

-光學(xué)系統(tǒng)；

-導(dǎo)光裝置；

-微機(jī)械元件；

-微電機(jī)元件；

-微電機(jī)系統(tǒng)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述晶片至少部分地由透明材料制成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括在進(jìn)行步驟(c)之后進(jìn)行以下步驟：

(d)將所述至少一個(gè)子晶片分離成多個(gè)片段。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括在進(jìn)行步驟(b)之前進(jìn)行以下步驟：

(e)制造所述晶片。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述部分包括所述多個(gè)半成品中的至少兩個(gè)。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述部分包括所述多個(gè)半成品中的至少一半。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述機(jī)械處理步驟包括由拋光步驟、研磨步驟和切割步驟組成的組中的至少一個(gè)。

18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述化學(xué)處理步驟包括涂布步驟和蝕刻步驟中的至少一個(gè)。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述蝕刻步驟為光刻步驟。