[發明專利]利用充足厚度的襯墊互連導體和饋通的方法有效
| 申請號: | 201280048405.1 | 申請日: | 2012-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN103842024A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | M·布賴彥;T·米爾蒂奇;G·穆恩斯 | 申請(專利權)人: | 美敦力公司 |
| 主分類號: | A61N1/375 | 分類號: | A61N1/375 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張欣 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 充足 厚度 襯墊 互連 導體 方法 | ||
1.一種互連導體和可植入醫療設備的氣密饋通的方法,包括:
將導線熔接到饋通上的襯墊;
其中所述饋通包括:
陶瓷絕緣體;和
氣密粘結到所述絕緣體且包括鉑的通孔;
其中所述襯墊包括鉑且粘結到所述絕緣體和電連接到所述通孔,且其中所述襯墊具有至少50μm的厚度;且
其中所述導線包括選自由鈮、鉑、鈦、鉭、鈀、金、鎳、鎢及其氧化物和合金組成的組的至少一種材料。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述熔接選自由平行間隙熔接、反間隙熔接、激光熔接、超聲波粘結、熱聲粘結和步間隙熔接組成的組。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述導線包括鈮或包括鈷、鉻和鎳的合金中的至少一種。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述熔接是平行間隙熔接。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述導線包括合金,其包括鈷、鉻和鎳。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述熔接是在惰性覆蓋氣體中實施。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述襯墊的厚度為至少約75μm。
8.一種用于可植入醫療設備的饋通系統,包括:
由陶瓷材料形成的絕緣體;
氣密粘結到所述絕緣體且包括鉑的通孔;
襯墊,其粘結到所述絕緣體且在所述絕緣體的外表面和所述通孔上電連接到所述通孔,其中所述襯墊大體居中在所述通孔上,且其中所述襯墊包括鉑,具有至少50μm的厚度;和
栓扣到所述襯墊的導線,其中所述導線包括選自由鈮、鉑、鈦、鉭、鈀、金、鎳、鎢及其氧化物和合金組成的組的至少一種材料。
9.根據權利要求8所述的饋通系統,其中所述襯墊具有大于或等于所述饋通的頂表面積的頂表面積。
10.根據權利要求8所述的饋通系統,其中所述導線基本上由鈮組成。
11.根據權利要求10所述的饋通系統,其中所述導線基本上由包括鈷、鉻和鎳的合金組成。
12.一種可植入醫療設備,包括:
套圈,其被構造以支撐饋通的絕緣體,其中所述套圈包括被構造以包圍所述絕緣體的側面的框架,其中所述框架包括:
被構造以栓扣到所述可植入醫療設備的外套的外伸出;和
被構造以面向所述絕緣體的內表面,其中所述內表面有以下至少一個特征:(i)平整且只面向所述絕緣體的端面和縱長側面而不在所述絕緣體的頂面或底面上延伸;或(ii)大部分平整且只面向所述絕緣體的端面和縱長側面,但還包括從所述大部分平整表面突出以接收所述絕緣體的頂面或底面的兩個或更多個翼片。
13.根據權利要求12所述的設備,還包括:
饋通,其包括陶瓷絕緣體和鉑通孔;和
栓扣所述陶瓷絕緣體與所述套圈的金釬焊。
14.根據權利要求13所述的設備,其中所述內表面平整且只面向所述絕緣體的端面和縱長側面而不在所述絕緣體的頂面或底面上延伸。
15.根據權利要求14所述的設備,其中所述金釬焊接觸所述套圈的所述框架的內表面和所述饋通的所述陶瓷絕緣體兩者,但只在所述饋通的所述端面和所述縱長側面上。
16.根據權利要求15所述的設備,其中所述饋通和所述金釬焊從所述饋通的頂邊和底邊隔開。
17.根據權利要求16所述的設備,其中所述套圈和所述金釬焊從所述饋通的底邊隔開至少約5密耳。
18.一種互連導體和饋通的方法,包括:
利用激光將導線連結到饋通上的襯墊;
其中所述饋通包括:
陶瓷絕緣體;和
氣密粘結到所述絕緣體且包括鉑的通孔,
其中所述襯墊氣密粘結到所述絕緣體且電連接到所述通孔,包括鉑且具有至少50μm的厚度,且
其中所述導線包括鈮、鉑、鈦、鉭、鈀、金、鎳、鎢及其氧化物和合金中的至少一種。
19.根據權利要求18所述的方法,其中所述連結還包括激光熔接、激光釬焊、激光焊接、激光化學反應或膠合物激光軟化中的至少一種。
20.根據權利要求19所述的方法,其中所述連結包括激光熔接。
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