[發明專利]電容器、包含電容器的設備及用于形成電容器的方法有效
| 申請號: | 201280048397.0 | 申請日: | 2012-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN103843137B | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 權兌輝 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 孫寶成 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 包含 設備 用于 形成 方法 | ||
1.一種電容器,其包括:
第一平面導電層;
第二平面導電層,其形成在所述第一平面導電層上面;
第三平面導電層,其形成在所述第二平面導電層上面,所述第一平面導電層在平行于所述第二平面導電層的至少兩個相反的方向上延伸,且超出所述第二平面導電層,從而所述第一平面導電層的第一端上表面部分和第二端上表面部分中的每一者延伸至超出所述第二平面導電層的相應的第一端和相應的第二端,所述第二平面導電層在平行于所述第三平面導電層的至少兩個相反的方向上延伸,且超出所述第三平面導電層,從而所述第二平面導電層的第一端上表面部分和第二端上表面部分中的每一者延伸至超出所述第三平面導電層的相應的第一端和相應的第二端;
電介質材料層,其插置于所述第一平面導電層、所述第二平面導電層與所述第三平面導電層之間,所述電介質材料層經布置使得所述第一平面導電層和所述第二平面導電層的所述第一端表面部分和所述第二端表面部分中的每一者延伸至超出相應的電介質材料層;及
第一觸點、第二觸點和第三觸點,所述第一觸點、第二觸點和第三觸點中的每一者電耦合到所述第一平面導電層、所述第二平面導電層和所述第三平面導電層,所述第一觸點安置在所述第一平面導電層的第一端上表面部分的第一橫向側上,所述第二觸點安置在所述第二平面導電層的第一端上表面部分的第二橫向側上,且所述第三觸點安置在所述第三平面導電層的所述第一端上表面部分的第一橫向側上,其中所述第一觸點和所述第三觸點直接耦合至第一接觸電極,且所述第二觸點直接耦合至與所述第一接觸電極共面的第二接觸電極。
2.一種電容器,其包括:
彼此上下安置的N個平面導電層,所述N個平面導電層中的每一者包含位于至少所述N個平面導電層的相對端的每一者上的相應部分,所述相應部分未被安置于所述N個平面導電層中較低階層的一者上面的所述N個平面導電層中的剩余者覆蓋,所述相應部分中的每一者在實質上平行于所述N個平面導電層的平面的方向上延伸,N為大于2的自然數;
N-1個電介質材料層,所述N-1個電介質材料層中的相應者插置于相應的相鄰對所述N個平面導電層之間,所述N-1個電介質材料層中的每一者小于所述N個平面導電層中的下伏的一者,使得所述相應部分中的至少一部分未被所述N-1個電介質層中的上覆的一者覆蓋;及
第一觸點、第二觸點和第三觸點,所述第一觸點、第二觸點和第三觸點中的每一者電耦合于所述N個平面導電層的相應部分上,所述第一觸點和所述第三觸點分別安置在與間隔平面導電層相鄰的兩個平面導電層的第一端的第一橫向側上,所述第二觸點安置在所述間隔平面導電層的所述第一端上的第二橫向側上,其中所述第一觸點和所述第三觸點直接耦合至第一接觸電極,且所述第二觸點直接耦合至與所述第一接觸電極共面的第二接觸電極。
3.根據權利要求2所述的電容器,其中所述N個平面導電層及所述N-1個電介質材料層分別在兩個方向上延伸,且其中所述N個平面導電層中的每一者在所述兩個方向中的至少一者上等于或小于所述N個平面導電層中下伏的剩余者。
4.根據權利要求2所述的電容器,
其中所述N個平面導電層中的交替者構成第一組,且所述N個平面導電層中的剩余者構成第二組,且其中所述電容器進一步包括耦合到所述第一組中的所述N個平面導電層的相應部分中的每一者的相應觸點,所述觸點中的每一者沿實質上垂直于所述平面導電層的對應觸點所耦合到的表面的方向延伸。
5.根據權利要求4所述的電容器,其中所述觸點包括第一觸點,且所述電容器進一步包括耦合到所述第二組中的所述N個平面導電層的所述相應部分中的每一者的相應第二觸點,所述第二觸點中的每一者沿實質上垂直于所述平面導電層的所述對應第二觸點所耦合到的表面的方向延伸。
6.根據權利要求5所述的電容器,其中所述N個平面導電層共同地形成堆疊式主體,
其中所述相應部分共同地形成在所述堆疊式主體的相對端中的第一者處的階梯及在所述堆疊式主體的所述相對端中的第二者處的階梯,
其中所述第一觸點中的每一者安置于所述堆疊式主體的所述相對端中的第一者處,且
其中所述第二觸點中的每一者安置于所述堆疊式主體的所述相對端中的第二者處。
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H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





