[發明專利]電容器、包含電容器的設備及用于形成電容器的方法有效
| 申請號: | 201280048397.0 | 申請日: | 2012-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN103843137B | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 權兌輝 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 孫寶成 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 包含 設備 用于 形成 方法 | ||
本發明提供電容器、包含電容器的設備及用于形成電容器的方法。一個此種電容器可包含第一導體、在所述第一導體上面的第二導體及在所述第一導體與所述第二導體之間的電介質。所述電介質不覆蓋所述第一導體的一部分;且所述第二導體不覆蓋所述第一導體的未被所述電介質覆蓋的所述部分。
本申請案主張2011年8月22日申請的第13/214,902號美國申請案的優先權權益,所述美國申請案以全文引用的方式并入本文中。
技術領域
本發明大體來說涉及電容器,且在特定實施例中,涉及一種用于存儲電能并向多種裝置(包含半導體裝置)提供電能的平行板電容器。
背景技術
電容器為用于存儲電能并向其它電元件提供電能的基本電元件。其用于當今大多數的電裝置及/或電子裝置中且隨著技術快速演進不斷地將其應用范圍擴展到新型高科技裝置(例如半導體裝置)中。盡管存在大量可供在此些半導體裝置中使用的電容器(例如,金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)電容器),但隨著多年以來半導體裝置的密度已迅猛且穩定地增加,對在大小上更小且在存儲容量上更大的電容器的需求一直不斷且日益增加。
附圖說明
圖1A展示電容器的一個說明性實施例的透視圖。
圖1B展示圖1A中所展示的電容器沿著線A-A′截取的橫截面圖。
圖1C展示圖1A中所展示的電容器的平面圖。
圖2A展示電容器的另一說明性實施例的透視圖。
圖2B展示圖2A中所展示的電容器沿著線B-B′截取的橫截面圖。
圖2C展示圖2A中所展示的電容器的平面圖。
圖2D展示圖2A中所展示的電容器的示意性電路圖。
圖3A展示電容器的又一說明性實施例的透視圖。
圖3B展示圖3A中所展示的電容器沿著線C-C′截取的橫截面圖。
圖3C展示圖3A中所展示的電容器沿著線D-D′截取的橫截面圖。
圖3D展示圖3A中所展示的電容器的平面圖。
圖4A及4B展示包含四個接觸電極的電容器的說明性實施例的平面圖。
圖5展示包含電容器的快閃存儲器裝置的說明性實施例的橫截面圖。
圖6展示包含多個電容器的電荷泵的說明性實施例。
圖7展示用于制作電容器的方法的說明性實施例的實例流程圖。
圖8A-8G是圖解說明圖7中所展示的實例方法及通過所述實例方法制作的結構的一系列圖式。
圖9展示包含非易失性存儲器裝置的系統的說明性實施例的示意圖。
具體實施方式
本發明提供與電容器相關的技術。在一個實施例中,所述電容器可包含第一導體、在所述第一導體上面的第二導體及在所述第一導體與所述第二導體之間的電介質。所述電介質不覆蓋所述第一導體的一部分;且所述第二導體不覆蓋所述第一導體的未被所述電介質覆蓋的所述部分。
在另一實施例中,一種電容器可包含彼此上下安置的N個平面導體,所述平面導體中的每一者包含未被安置于其上面的平面導體覆蓋的至少一個第一部分,其中N為等于或大于2的自然數。
前述實施例僅為說明性且決不打算為限制性。除上述說明性方面、實施例及特征之外,參考圖式及以下詳細描述,其它方面、實施例及特征也將變得顯而易見。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





