[發明專利]化合物半導體薄膜形成用油墨及其制造方法無效
| 申請號： | 201280048204.1 | 申請日： | 2012-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN103842289A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 張毅聞;山田明 | 申請（專利權）人： | 凸版印刷株式會社;國立大學法人東京工業大學 |
| 主分類號： | C01B19/00 | 分類號： | C01B19/00;B82Y40/00;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 白麗;陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體 薄膜 形成 油墨 及其 制造 方法 | ||
1.一種CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其具備：使含有金屬鹽或金屬配位化合物的溶液與含有硫屬化物鹽的溶液發生反應來制造CZTS化合物納米粒子。
2.根據權利要求1所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，制造所述納米粒子的溫度為-67℃以上且25℃以下。
3.根據權利要求1或2所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，所述金屬鹽含有鹵原子。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，所述金屬鹽是碘化金屬鹽。
5.根據權利要求4所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，所述碘化金屬鹽為選自CuI、ZnI2及SnI2中的至少1種。
6.根據權利要求1～3中任一項所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，所述硫屬化物鹽為選自Na2Se及Na2S中的至少1種。
7.根據權利要求1～3中任一項所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，所述納米粒子由Cu2-xZn1+ySnSzSe4-z所示的化合物構成，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤4。
8.根據權利要求1～3中任一項所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，所述納米粒子為由選自Cu2-xSySe2-y、Zn2-xSySe2-y及Sn2-xSySe2-y中的式子表示的化合物中的至少1種，式Cu2-xSySe2-y中0≤x≤1、0≤y≤2，式Zn2-xSySe2-y中0≤x≤1、0≤y≤2，式Sn2-xSySe2-y中0≤x≤1、0≤y≤2。
9.根據權利要求1～3中任一項所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，所述納米粒子的粒徑為1～200nm。
10.根據權利要求7所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子的制造方法，其中，構成所述納米粒子的化合物的各元素的組成比為Cu/（Zn＋Sn）＝0.6～0.99。
11.一種CZTS化合物半導體薄膜形成用納米粒子，其是通過權利要求1～3中任一項所述的方法制得的。
12.一種CZTS化合物半導體薄膜形成用油墨，其是將權利要求11所述的納米粒子分散于有機溶劑中而成的。
13.一種CZTS化合物半導體薄膜形成用油墨的制造方法，其具備：使權利要求11所述的納米粒子分散于有機溶劑中。
14.根據權利要求13所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用油墨的制造方法，其中，所述有機溶劑為選自甲醇及吡啶中的至少1種。
15.根據權利要求13或14所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加選自Se化合物及S化合物中的至少1種作為粘合劑。
16.根據權利要求13或14所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加硫脲作為粘合劑。
17.根據權利要求13或14所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加選自含有Se元素的粒子及含有S元素的粒子中的至少1種作為粘合劑。
18.根據權利要求13或14所述的CZTS化合物半導體薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加選自Se粒子及S粒子中的至少1種作為粘合劑。
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