[發明專利]太陽能電池及其制造方法有效
| 申請號: | 201280047712.8 | 申請日: | 2012-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN103828067B | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發明(設計)人: | 沈洺奭 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司11327 | 代理人: | 許向彤,陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
技術領域
實施例涉及一種太陽能電池及其制造方法。更具體地講,實施例涉及一種具有改善的效率的太陽能電池及其制造方法。
背景技術
通常,太陽能電池將太陽能轉換成電能。最近,隨著能源消耗的增大,已經廣泛商業化使用太陽能電池。
太陽能電池可以通過以下方式形成:將背電極層、光吸收層和透明電極層層壓在透明玻璃基板上,使得背電極層可以電性連接到透明電極層上。
然而,當背電極層連接到透明電極層上時,背電極層和透明電極層之間的接觸電阻增大,從而降低了太陽能電池的效率。
發明內容
技術問題
實施例提供了一種太陽能電池及其制造方法,所述太陽能電池能減小背電極層與透明電極層之間的接觸電阻。
技術方案
根據實施例,提供了一種太陽能電池,所述太陽能電池包括:基板;在所述基板上的背電極層;在所述背電極層上的光吸收層;以及在所述光吸收層與所述透明電極層之間的雜質摻雜層。
根據實施例,提供了一種太陽能電池的制造方法,所述方法包括以下步驟:制備基板;在所述基板上形成背電極層;在所述背電極層上形成光吸收層;在所述光吸收層上形成雜質摻雜層;以及在所述雜質摻雜層上形成透明電極層。
有益效果
根據實施例,可以在透明電極層的下部形成雜質摻雜層以增大電子收集效率,從而改善太陽能電池的電流特性。
另外,根據實施例,通過使雜質摻雜層的雜質摻雜量大于透明電極層的雜質摻雜量可以減小背電極層與透明電極層之間的接觸電阻。
此外,根據實施例,通過使雜質摻雜層的雜質摻雜量大于透明電極層的雜質摻雜量可以減小背電極與透明電極層之間的接觸電阻。
附圖說明
圖1是示出了根據實施例的太陽能電池的剖視圖。
圖2是示出了根據實施例的太陽能電池的修改實例的剖視圖。
圖3至圖8是示出了根據實施例的太陽能電池的制造方法的剖視圖。
具體實施方式
以下將參照附圖更加詳細地描述實施例。
圖1是示出了根據實施例的太陽能電池的剖視圖,并且圖2是示出了根據實施例的太陽能電池的修改實例的剖視圖。
參見圖1,根據實施例的太陽能電池包括基板100、在基板100上的背電極層200、在背電極層200上的光吸收層300、在光吸收層300上的第一緩沖層400和第二緩沖層500、在第二緩沖層500上的透明電極層600以及在光吸收層300與透明電極層600之間的雜質摻雜層700。
基板100可以具有平板形狀并且包括透明玻璃材料。
基板100可以是剛性的或柔性的。除玻璃基板外,可以使用塑料基板或金屬基板作為基板100。另外,具有鈉成分的鈉鈣玻璃基板可以用作基板100。
背電極層200可以形成在基板100上。
背電極層200可以包括鉬(Mo)。背電極層200可以包括金屬,例如除鉬(Mo)之外的鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、銀(Ag)或金(Au),或者透明導電氧化物(TCO)薄膜,例如銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、或SnO2。
背電極層200可以形成為使用同種或異種金屬來提供至少兩層。
光吸收層300可以形成在背電極層200上。
光吸收層300可以具有I-III-VI族化合物。例如,光吸收層300可以具有CIGSS(Cu(IN,Ga)Se2)晶體結構、CISS(Cu(IN)(Se,S)2)晶體結構或CGSS(Cu(Ga)(Se,S)2)晶體結構。
第一緩沖層400可以形成在光吸收層300上。
第一緩沖層400在光吸收層300上與光吸收層300直接接觸,并且起到使光吸收層300與以下描述的透明電極層600之間的能帶隙衰減的作用。
第一緩沖層400可以通過使用包含硫化鎘(CdS)的材料來形成,并且可以具有與背電極層200和透明電極層600之間的中間能帶隙相對應的能帶隙。
第二緩沖層500可以形成在第一緩沖層400上。
第二緩沖層500是高電阻緩沖層并且可以包括具有高透光率和電導率的氧化鋅(ZnO)。
第二緩沖層500可以防止與透明電極層600發生絕緣并且使沖擊損害減小。
根據實施例的雜質摻雜層700和透明電極層600可以依次形成在第二緩沖層500上。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
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