[發明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201280047712.8
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN103828067B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 沈洺奭
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048;H01L31/18
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司11327
• 代理人: 許向彤,陳英俊

1.一種太陽能電池，包括：

基板；

在所述基板上的背電極層；

在所述背電極層上的光吸收層；

在所述光吸收層上的緩沖層；

雜質摻雜層，所述雜質摻雜層形成包括在所述緩沖層上的第一雜質摻雜層和在所述第一雜質摻雜層上的第二雜質摻雜層的多層結構；以及

設置在所述第二雜質摻雜層上的透明電極層，

其中，所述光吸收層和所述緩沖層形成圖案線，

其中，所述圖案線的內部填充有所述第一雜質摻雜層和在所述第一雜質摻雜層上的所述第二雜質摻雜層，

其中，所述第二雜質摻雜層比所述第一雜質摻雜層更接近所述透明電極層，并且所述第二雜質摻雜層的摻雜量小于所述第一雜質摻雜層的摻雜量。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述雜質摻雜層包括選自由鋁(Al)、硼(B)、鎵(Ga)和銦(In)組成的組中的一種。

3.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述透明電極層和所述雜質摻雜層的厚度在100nm至2000nm的范圍內。

4.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述雜質摻雜層的摻雜量大于所述透明電極層的摻雜量。

5.一種太陽能電池的制造方法，所述方法包括：

制備基板；

在所述基板上形成背電極層；

在所述背電極層上形成光吸收層；

在所述光吸收層上形成緩沖層；

形成穿過所述光吸收層和所述緩沖層的圖案線；

在所述緩沖層上形成雜質摻雜層；以及

在所述雜質摻雜層上形成透明電極層，

其中，所述雜質摻雜層形成包括第一雜質摻雜層和第二雜質摻雜層的多層結構，

其中，所述圖案線的內部填充所述第一雜質摻雜層和在所述第一雜質摻雜層上的所述第二雜質摻雜層，

其中，所述第二雜質摻雜層比所述第一雜質摻雜層更接近所述透明電極層，并且所述第二雜質摻雜層的摻雜量小于所述第一雜質摻雜層的摻雜量。

6.如權利要求5所述的方法，其中，在形成所述雜質摻雜層期間，所述雜質摻雜層是通過沉積選自由鋁(Al)、硼(B)、鎵(Ga)和銦(In)組成的組中的一種而形成的。

7.如權利要求5所述的方法，其中，所述透明電極層和所述雜質摻雜層的厚度在100nm至2000nm的范圍內。