[發明專利]生長用于紅外光檢測器的異質結構的方法

有效

• 申請號: 201280047193.5
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN103959441A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: D·M·科拉索維特斯基;V·P·查爾里;N·I·卡特賽弗茨;A·L·達丁
• 申請（專利權）人: "斯韋特蘭娜-羅斯特"股份公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L31/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 姬利永

1.一種用于生長紅外光檢測器異質結構的方法，所述異質結構包括襯底以及覆蓋的半導體層，即接觸層以及形成包含多個量子阱以及量子勢壘的活性區的層，所述方法采用分子束外延，并通過在真空中加熱襯底并交替地將試劑流饋送到量子阱以及量子勢壘中以及將摻雜劑（Si）饋送到量子阱中來生長所述異質結構，其中試劑Ga和As被饋送到量子阱中并且Al、Ga以及As被饋送到量子勢壘中，其特征在于，附加地將Al饋送到量子阱中，饋送量在量子阱中提供0.02-0.10摩爾分數，在形成活性區的層的生長過程中，襯底溫度被保持在700-750℃范圍內，并且量子阱的摻雜度被保持在(2-5)x10¹⁷cm^-3的范圍內。