[發(fā)明專利]在EUV反射鏡上制造由氧化硅構(gòu)成的覆蓋層的方法、EUV反射鏡和EUV光刻設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280047174.2
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN103930805B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: D.H.埃姆;吉塞拉范·布蘭肯哈根
• 申請（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G21K1/06;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 邸萬奎

相關(guān)申請的交叉引用

本發(fā)明要求2011年9月27日申請的德國專利申請No.102011083461在35U.S.C.§119(a)下的優(yōu)先權(quán)，該德國專利申請的全部內(nèi)容被認為是該申請公開的一部分，并通過引用并入本申請公開中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于在反射鏡涂層上制造由氧化硅構(gòu)成的覆蓋層的方法，所述涂層反射EUV輻射。本發(fā)明還涉及一種包含由氧化硅構(gòu)成的覆蓋層的反射鏡，以及一種包含這種反射鏡的EUV光刻設(shè)備。不用說，該反射鏡還可用于除EUV光刻設(shè)備之外的不同光學裝置中，例如EUV掩模度量系統(tǒng)。

背景技術(shù)

微光刻的投射曝光設(shè)備用于利用光刻方法制造微結(jié)構(gòu)部件。在該情況下，結(jié)構(gòu)承載掩模，所謂的掩模母版借助于投射光學單元成像于光敏層上。可借助這種投射光學單元成像的最小特征尺寸由所用成像光的波長確定。所用成像光的波長越小，可借助投射光學單元成像的結(jié)構(gòu)越小。在所謂的EUV光刻設(shè)備中，現(xiàn)在主要使用具有193nm波長的成像光或具有在極紫外(EUV)范圍內(nèi)(即5nm至30nm)的波長的成像光。反射光學元件(EUV反射鏡)僅用于EUV光刻設(shè)備中，因為在這些波長處具有足夠高透射率的光學材料不是已知的。

用于這種EUV光刻設(shè)備的EUV反射鏡包含基板和具有多個層的反射涂層，所述反射涂層施加到基板。這種多層涂層通常由具有高折射率和低折射率的材料組成的交替層(例如由鉬和硅構(gòu)成的交替層)構(gòu)成，其層厚度相互協(xié)作，使得所述涂層實現(xiàn)其光學功能，并確保了高反射率。反射式多層涂層通常具有覆蓋層以防止下面的層氧化。所述覆蓋層可由金屬材料構(gòu)成，例如由釕、銠或鈀構(gòu)成。

EP1065568A2公開了使用碳化物作為覆蓋層的材料，例如碳化硼(B₄C)或碳化硅(SiC)。氮化物，例如氮化硅(Si₃N₄)或氮化鈦(TiN)在此還被指定作為覆蓋層的材料。相似地，US2006/0066940A1描述了包含覆蓋層系統(tǒng)的EUV反射鏡，其中除氮化硅(Si₃N₄)之外的氮化硼(BN)，以及除碳化硼(B₄C)之外的碳化鉬(MoC)和二氧化硅(SiO₂)也被提出作為覆蓋層系統(tǒng)的材料。

此外，尤其從1993年Khanh?Nguyen等人在Mat.Res.Soc.Symp.Proc.(材料研究學會)第306卷的文章“Top?Layer?Oxidation?in?Mo/Si?MultilayerX-Ray?Mirror”可知，在Mo/Si多層涂層的情況(其中，硅層形成終端層或覆蓋層)下，二氧化硅(SiO₂)的薄膜形成在周圍空氣中，其厚度通常在約10埃至20埃之間。

US2010/0190113A1描述了包含具有多個層的覆蓋層系統(tǒng)的反射鏡。覆蓋層系統(tǒng)的最頂層可由例如二氧化硅形成，二氧化硅利用反應濺射工藝施加。

在EUV光刻設(shè)備中具有由二氧化硅構(gòu)成且通過濺射制造的這種覆蓋層的EUV反射鏡的操作期間，已發(fā)現(xiàn)在氫清洗(其中覆蓋層的表面與活性氫接觸以去除諸如碳或來自所述層的錫的污染物)期間，會發(fā)生二氧化硅的部分轉(zhuǎn)換或減少，在此期間可形成硅烷，其對反射率和/或反射率的均勻性有不利影響。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的

本發(fā)明的目的是提供一種用于制造由氧化硅構(gòu)成的覆蓋層的方法、一種包含這種覆蓋層的反射鏡以及一種EUV光刻設(shè)備，其中覆蓋層在例如用活性氫清洗期間具有其光學特性的增強的穩(wěn)定性。

發(fā)明主題