[發明專利]在EUV反射鏡上制造由氧化硅構成的覆蓋層的方法、EUV反射鏡和EUV光刻設備

有效

• 申請號: 201280047174.2
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN103930805B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: D.H.埃姆;吉塞拉范·布蘭肯哈根
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G21K1/06;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 邸萬奎

1.在反射鏡(13)的涂層(16)上制造由氧化硅SiO_x構成的覆蓋層(18)的方法，所述涂層反射EUV輻射(6)，所述方法包含：

照射由氮化硅SiN_x構成或由氮氧化硅SiN_xO_y構成的覆蓋層(18)，以將所述覆蓋層(18)的氮化硅SiN_x或氮氧化硅SiN_xO_y轉變為氧化硅SiO_x。

2.根據權利要求1的方法，其中，所述覆蓋層(18)由具有200mW/mm²或更大的功率密度的EUV輻射(6)照射。

3.根據前述權利要求中任一項的方法，其中，對所述覆蓋層(18)的照射在EUV光刻設備(1)中進行，所述反射鏡(13)布置在所述EUV光刻設備中。

4.根據前述權利要求中任一項的方法，其中，對所述覆蓋層(18)的照射在殘余氣體環境(19)中實現，所述殘余氣體環境具有在10^-7mbar和10^-11mbar之間的氧分壓(p(O₂))和/或在10^-5mbar和10^-9mbar之間的水分壓(p(H₂O))。

5.根據前述權利要求中任一項的方法，還包含：在所述照射之前的步驟：通過汽相沉積來施加由氮化硅SiN_x構成或由氮氧化硅SiN_xO_y構成的所述覆蓋層(18)。

6.根據權利要求5的方法，其中，所述覆蓋層(18)通過物理汽相沉積來沉積。

7.根據權利要求5或6的方法，其中，在施加所述覆蓋層(18)時，設定SiN_x或SiN_xO_y中的氮比例在0.4和1.4之間。

8.根據權利要求5至7中任一項的方法，其中，在施加所述覆蓋層(18)時，設定SiN_xO_y中的氧比例y＜0.9，優選y＜0.4。

9.根據前述權利要求中任一項的方法，還包含：在所述照射之前的步驟：將反射涂層(16)施加至基底(15)，使得所述反射涂層(16)在所述EUV波長范圍中的工作波長λ_B處具有反射最大值，并且工作波長λ_B的輻射在反射涂層(16)處反射時形成的駐波的場強的最大值(I_max)或最小值(I_min)布置在與所述反射涂層(16)的覆蓋層(18)的表面(18a)相距0.1λ_B或更小的距離處。

10.反射鏡(13)，包含：

基底(15)和反射EUV輻射(6)的涂層(16)，

其特征在于，

所述反射涂層(16)具有覆蓋層(18)，該覆蓋層由氧化硅SiO_x構成并由根據前述權利要求中任一項所述的方法制造。

11.根據權利要求10的反射鏡，其中，所述SiO_x中的氧比例x在1.0和2.0之間，優選在1.8和2.0之間。

12.根據權利要求10或11的反射鏡，其中，所述覆蓋層(18)是非結晶的。

13.根據權利要求10至12中任一項的反射鏡，其中，所述覆蓋層(18)施加至所述反射涂層(16)的硅層(17a)。

14.根據權利要求10至13中任一項的反射鏡，其中，所述反射涂層(16)在所述EUV波長范圍中的工作波長λ_B處具有反射最大值，并且工作波長λ_B的輻射在反射涂層(16)處反射時形成的駐波的場強的最大值(I_max)或最小值(I_min)布置在與所述反射涂層(16)的覆蓋層(18)的表面(18a)相距0.1λ_B或更小的距離處。

15.EUV光刻設備(1)，包含：

根據權利要求10至14中任一項的至少一個反射鏡(9、10、11、13、14)，所述至少一個反射鏡布置在所述EUV光刻設備(1)的殘余氣體環境(19)中。