[發明專利]交流驅動靜電吸盤

無效

• 申請號: 201280046775.1
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103890927A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 穴田和輝;石川佳津子;吉井雄一;米澤順治
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H02N13/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 金相允;浦柏明

技術領域

本發明的形態總體上涉及一種交流驅動靜電吸盤。

背景技術

在進行刻蝕、CVD（Chemical?Vapor?Deposition：化學氣相沉積）、濺鍍、離子注入、灰化、曝光、檢查等工作的基板處理裝置中，靜電吸盤作為一種吸附保持被吸附物（半導體晶片或玻璃基板等）的單元被使用。

其間靜電吸盤的載置面與被吸附物相互摩擦有可能產生顆粒。另外，靜電吸盤的載置面與被吸附物的接觸面積增大有可能使被吸附物的吸附脫離響應性變差。

為此，已有公知技術試圖在靜電吸盤的載置面側設置突起部以減小接觸面積，從而抑制顆粒污染提高被吸附物的吸附脫離響應性。

另一方面，還存在有通過施加多相交流電壓，在被吸附基板脫離時不需要進行放電處理，消去被吸附基板振動的靜電吸盤裝置（參見專利文獻1）。但是，專利文獻1中記載的靜電吸盤裝置中，為了在多相電極與被吸附基板之間施加交流電壓，存在多相電極中的任意一個與被吸附基板之間的電壓變為零的瞬間。于是在位于施加電壓為零的電極上的被吸附基板的部分，吸附力局部變為零。因此，有可能會發生被吸附基板局部振動，被吸附基板與靜電吸盤裝置的載置面局部相互摩擦的問題，這已被本發明人根據自己的研究結果加以判明。

據此，突起部設于靜電吸盤的載置面側時，有可能會發生突起部與被吸附基板局部相互摩擦，從而導致突起部的一部分局部損傷。

專利文獻1：日本特開2003-332412號公報

發明內容

本發明是基于對所涉及的課題的認知而進行的，目的在于提供一種交流驅動靜電吸盤，其能夠抑制對設置在載置面側的突起部的一部分造成局部損傷。

根據本發明的一個形態，提供了一種交流驅動靜電吸盤，具備：電介體基板，具有形成于載置被吸附物側的主面的突起部與形成于所述突起部周圍的底面部；以及電極，設置在所述電介體基板，其中，所述電極包括多個相互分離配設的電極元件，所述多個電極元件能夠分別被施加相位各不相同的交流電壓，所述突起部根據所述多個電極元件的形狀，按規定的間隔配置于所述主面上。

附圖說明

圖1（a）～圖1（c）是用于例示本發明實施方式涉及的交流驅動靜電吸盤的模式剖視圖；

圖2（a）及圖2（b）是用于例示本實施方式涉及的交流驅動靜電吸盤的變形例的模式剖視圖；

圖3是例示本實施方式的電極圖案的平面模式圖；

圖4（a）及圖4（b）是例示本實施方式的電極與突起部的配置關系的平面模式圖；

圖5是例示比較例涉及的交流驅動靜電吸盤的電極圖案的平面模式圖；

圖6（a）及圖6（b）是例示比較例涉及的交流驅動靜電吸盤的電極與突起部的配置關系的平面模式圖；

圖7（a）及圖7（b）是用于說明突起部的局部損傷的平面模式圖；

圖8（a）～圖8（c）是放大突起部觀察時的放大模式圖；

圖9是放大直流驅動靜電吸盤的突起部觀察時的放大模式圖；

圖10是例示本發明人使用本實施方式涉及的交流驅動靜電吸盤實施的被吸附物的位移量的測定結果及模擬結果的一例的曲線圖；

圖11是表示圖10所示的測定結果及模擬結果中測定位置及數據位置的平面模式圖；

圖12是例示本發明人使用比較例涉及的交流驅動靜電吸盤實施的被吸附物的位移量的測定結果及模擬結果的一例的曲線圖；

圖13是表示圖12所示的測定結果及模擬結果中測定位置及數據位置的平面模式圖；

圖14是例示本實施方式的電極和突起部的其他配置關系的平面模式圖；

圖15是例示本實施方式的電極與突起部的另一其他配置關系的平面模式圖；

圖16是例示本實施方式的電極與突起部的另一其他配置關系的平面模式圖；

圖17（a）及圖17（b）是例示本實施方式的電極與突起部的另一其他配置關系的平面模式圖；

圖18（a）及圖18（b）是例示本實施方式的電極與突起部的另一其他配置關系的平面模式圖；

圖19（a）及圖19（b）是例示本實施方式的電極與突起部的另一其他配置關系的平面模式圖；

圖20（a）及圖20（b）是例示本實施方式的電極與突起部的另一其他配置關系的平面模式圖；

圖21是例示本實施方式的電極與突起部的另一其他配置關系的平面模式圖；

圖22（a）及圖22（b）是選擇性配置本實施方式的突起部的模式剖視圖；

圖23（a）及圖23（b）是用于說明突起部的直徑的模式剖視圖；