[發明專利]交流驅動靜電吸盤無效
| 申請號: | 201280046775.1 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103890927A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 穴田和輝;石川佳津子;吉井雄一;米澤順治 | 申請(專利權)人: | TOTO株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;浦柏明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 交流 驅動 靜電 吸盤 | ||
1.一種交流驅動靜電吸盤,
具備:電介體基板,具有形成于載置被吸附物側的主面的突起部與形成于所述突起部周圍的底面部;以及
電極,設置在所述電介體基板,其中,
所述電極包括多個相互分離配設的電極元件,所述多個電極元件能夠分別被施加相位各不相同的交流電壓,
所述突起部根據所述多個電極元件的形狀,按規定的間隔配置于所述主面上。
2.根據權利要求1所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
所述突起部存在于將所述多個電極元件投影到所述主面的投影面之上。
3.根據權利要求1所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
所述突起部存在于將所述多個電極元件投影到所述主面的投影面之上以外的位置。
4.根據權利要求2所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
所述多個電極元件分別具有延展的部分,
所述突起部在將所述多個電極元件投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心線之上以外的位置。
5.根據權利要求3所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
設于所述多個電極元件中的鄰接的電極元件之間的間隙具有延展的部分,
所述突起部在將所述間隙投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心線之上以外的位置。
6.根據權利要求4所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
多個所述突起部在將所述多個電極元件投影到所述主面的投影面之上,存在于相對于所述中心線對稱的位置。
7.根據權利要求5所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
多個所述突起部在將所述間隙投影到所述主面的投影面之上,存在于相對于所述中心線對稱的位置。
8.根據權利要求2所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
設于所述多個電極元件中的鄰接的電極元件之間的間隙具有延展的部分,
多個所述突起部在將所述多個電極元件投影到所述主面的投影面之上,存在于相對于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心線對稱的位置。
9.根據權利要求2所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
所述多個電極元件分別具有延展的部分,
所述突起部在將所述多個電極元件投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心線之上。
10.根據權利要求3所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
設于所述多個電極元件中的鄰接的電極元件之間的間隙具有延展的部分,
所述突起部在將所述間隙投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心線之上。
11.根據權利要求1所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
配置于所述主面中央部的相互相鄰的突起部彼此的間隔,與配置于所述主面外周部的相互相鄰的突起部彼此的間隔相比較窄。
12.根據權利要求1所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
配置于所述主面中央部的相互相鄰的電極彼此的間隔,與配置于所述主面外周部的相互相鄰的電極彼此的間隔相比較窄。
13.根據權利要求1所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
在所述主面垂直觀察時,配置于中央部的所述突起部的頂面的面積相對于所述主面的整個面積的比例,與配置于外周部的所述突起部的頂面的面積相對于所述主面的整個面積的比例相比較高。
14.根據權利要求1所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
配置于所述主面的外周部的所述突起部的直徑,與配置于所述主面的中央部的所述突起部的直徑相同或者與配置于所述主面的中央部的所述突起部的直徑相比較大。
15.根據權利要求9所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
在所述主面垂直觀察時,配置于所述主面的外周部的所述突起部,與配置于所述主面的中央部的所述突起部的排列圖案相比,配置于朝外周方向選擇性移動過的位置上。
16.根據權利要求10所述的交流驅動靜電吸盤,其中,
在所述主面垂直觀察時,配置于所述主面的外周部的所述突起部,與配置于所述主面的中央部的所述突起部的排列圖案相比,配置于朝外周方向選擇性移動過的位置上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





