[發(fā)明專利]用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280044409.2
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN103797667A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設計）人: 高木慎平
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323;H01S5/02
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

技術領域

本發(fā)明涉及一種用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法。

背景技術

專利文獻1公開了與在包括其c軸朝向m軸傾斜的六方晶系III族氮化物半導體的支撐基體的半極性面上具有低閾值電流的III族氮化物半導體激光器件相關聯(lián)的技術。構成激光腔的第一和第二斷裂面與m-n面相交。III族氮化物半導體激光器件具有在m-n面和半極性面之間的相交線的方向上延伸的激光波導。因此，能夠通過具有低閾值電流的帶間躍遷來產(chǎn)生光。在激光結構中第一表面與第二表面相對。第一和第二斷裂面從第一表面的邊緣向第二表面的邊緣延伸。第一和第二斷裂面不是通過干法蝕刻得到的，并且與諸如c面、m面和a面常規(guī)解理面不同。與專利文獻1相關聯(lián)的技術，如在非專利文獻1中公開了的技術是已知的。

引用文獻

專利文獻

專利文獻1：日本未審查專利申請公布No.2011-3660

非專利文獻

非專利文獻1：Anurag?TYAGI，Hong?ZHONG，Roy?B.CHUNG，Daniel?F.FEEZELL，Makoto?SAITO，Kenji?FUJITO1，James?S.SPECK，Steven?P.DENBAARS和Shuji?NAKAMURA的“Semipolar(10-1-1)InGaN/GaN?Laser?Diodes?on?Bulk?GaN?substrate（GaN塊結構上的半極性（10-1-1）InGaN/GaN激光二極管）”，Japanese?Journal?of?Applied?Physics（日本應用物理學報），Vol.46，No.19，2007，pp.L444-L445

發(fā)明內(nèi)容

技術問題

如專利文獻1中描述的，在沿著c面中朝向m軸偏離的半極性面上形成利用半極性面的III族氮化物半導體激光器件的激光波導。在這種結構中，與激光波導正交的激光腔鏡不能容易地難以通過常規(guī)的解理工藝來產(chǎn)生，因而通過斷裂工藝（fracturing?process）來產(chǎn)生。作為激光器件的激光腔鏡來說，通過斷裂形成用于激光腔鏡的需求是符合要求的。換句話說，期望具有低激光閾值電流的激光腔鏡的穩(wěn)定供應。因此，鑒于上述情形完成的本發(fā)明的目的是提供一種用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法，其通過利用半極性面而能夠穩(wěn)定地供應具有低激光閾值電流的激光腔鏡。

解決問題的方案