[發明專利]用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法

無效

• 申請號: 201280044409.2
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN103797667A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 高木慎平
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323;H01S5/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法，包括以下步驟：

準備具有襯底和半導體區域的襯底產品，所述襯底包含六方晶系III族氮化物半導體并且包括半極性主面，所述半導體區域被設置在所述半極性主面上并且包括有源層；

對所述襯底產品的第一表面進行劃線，以形成沿著所述六方晶系III族氮化物半導體的a軸延伸的多個劃線標記；以及

利用解理系統從所述襯底產品形成激光條和襯底產品殘余物，

其中，

所述解理系統包括：支撐部件，所述支撐部件支撐所述襯底產品；可伸展的保護片材，當由所述支撐部件支撐所述襯底產品時，所述可伸展的保護片材保護面向所述支撐部件的所述襯底產品的所述第一表面；刀片，當由所述支撐部件支撐所述襯底產品時，從與所述第一表面相反側的所述襯底產品的第二表面朝向所述支撐部件來對所述襯底產品下壓所述刀片；以及可移動部件，所述可移動部件相對于所述支撐部件是可移動的并且用于調整所述保護片材的張力，

所述保護片材在基準軸的方向上延伸，并且在所述保護片材的與所述基準軸相交的兩個邊緣都被固定到所述支撐部件的情況下將所述保護片材布置在所述襯底產品和所述支撐部件之間，

所述襯底產品被布置在所述保護片材和所述支撐部件之上，以使得所述a軸與所述基準軸交叉，所述襯底產品包括第一區域和第二區域，

所述第一區域和所述第二區域依次布置在與所述a軸交叉的方向上，

所述第一區域和所述第二區域的分界面沿著所述a軸延伸，

所述第一區域包括在所述劃線標記中的位于最遠端的劃線標記，

形成所述激光條和所述襯底產品殘余物的步驟包括以下步驟：

利用所述支撐部件保持所述襯底產品，以使得所述第一區域從所述支撐部件的邊緣突出，并且所述第二區域被布置在所述支撐部件之上；

在沿著所述襯底的所述半極性主面的法線軸延伸的法線向量的方向上，使所述刀片與在所述第二表面中的包含于所述第一區域的區域相接觸；以及

對所述第一區域下壓所述刀片，以使得所述第一區域連同于與所述第一區域相接觸的所述保護片材的一部分一起被擠壓在所述支撐部件和所述可移動部件之間，同時使用所述可移動部件來增加在所述保護片材的所述部分中產生的張力，以在與朝向所述第一區域的所述刀片的行進的方向相反的方向上在所述第一區域中產生力，直至在所述第一區域的端面處的所述半極性主面相對于所述第二區域的所述半極性主面傾斜偏轉角THETA，

所述激光條從所述第一表面延伸至所述第二表面，并且具有通過分離形成的第一端面和第二端面，

所述第一端面和所述第二端面構成所述III族氮化物半導體激光器件的激光腔，

表示所述六方晶系III族氮化物半導體的c軸的方向的c軸向量相對于所述襯底的所述半極性主面的法線向量傾斜角度ALPHA，

所述第一區域中的與所述刀片相接觸的部分沿著所述a軸延伸，

所述偏轉角THETA是被定義在由所述六方晶系III族氮化物半導體的所述c軸和m軸定義的c-m面內的角度，當所述襯底產品在從所述m軸到所述c軸的方向上彎曲時所述偏轉角THETA具有正值，當所述襯底產品在從所述c軸到所述m軸的方向上彎曲時所述偏轉角THETA具有負值，如果所述角度ALPHA在71度至79度的范圍內，則所述偏轉角THETA在11度至19度的范圍內，并且如果所述角度ALPHA在101度至109度的范圍內，則所述偏轉角THETA在-19度至-11度的范圍內，并且

所述第一端面和所述第二端面與所述c-m面相交。

2.根據權利要求1所述的用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法，其中，

所述劃線標記沿著由所述a軸和所述法線軸定義的a-n面在從所述第一表面到所述第二表面的方向上延伸。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法，

其中，

在用于準備所述襯底產品的步驟中，對所述襯底進行加工以使其具有從50μm到100μm范圍的厚度，

所述加工是切片和研磨之一，并且

所述第二表面是通過所述加工形成的已加工表面和包括有在該已加工表面上布置的電極的表面之一。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的用于制作III族氮化物半導體激光器件的方法，其中，

所述劃線是利用激光劃線器進行的，并且

所述劃線標記包括劃線溝槽。