[發(fā)明專(zhuān)利]用于靜電放電指的增強(qiáng)互相觸發(fā)的多通道同質(zhì)路徑

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280043043.7
• 申請(qǐng)日: 2012-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103782385B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 菲利普·德沃爾;馬麗亞·費(fèi)爾南德斯;帕特里克·貝薩厄澤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 密克羅奇普技術(shù)公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;H01L29/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案主張菲利普·德瓦爾(Philippe?Deval)、費(fèi)爾南德斯·瑪利亞(Fernandez?Marija)及柏塞由斯·帕特里克(Besseux?Patrick)在2011年7月21日申請(qǐng)的標(biāo)題為“用于靜電放電指的增強(qiáng)互相觸發(fā)的多通道同質(zhì)路徑(Multi-Channel?Homogenous?Path?for?Enhanced?Mutual?Triggering?of?Electrostatic?Discharge?Fingers)”的共同擁有的序列號(hào)為61/510,357號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)；出于所有目的以引用的方式將所述申請(qǐng)案并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及高電壓(HV)金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)裝置，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及為HV?MOS裝置提供增強(qiáng)靜電放電(ESD)保護(hù)。

背景技術(shù)

CAN控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN或CAN-總線(xiàn))為經(jīng)設(shè)計(jì)以允許微控制器及裝置在無(wú)主機(jī)計(jì)算機(jī)的車(chē)輛內(nèi)彼此通信的車(chē)輛總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)。CAN為針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的基于消息的協(xié)議，但其現(xiàn)在也使用于例如工業(yè)自動(dòng)化及醫(yī)療設(shè)備的其它領(lǐng)域中。LIN-總線(xiàn)(局域互連網(wǎng)絡(luò))為用于當(dāng)前汽車(chē)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)內(nèi)的車(chē)輛總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)或計(jì)算機(jī)聯(lián)網(wǎng)總線(xiàn)系統(tǒng)。LIN協(xié)會(huì)強(qiáng)制執(zhí)行LIN規(guī)格。LIN總線(xiàn)為小且慢的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，其用作CAN總線(xiàn)的低價(jià)位子網(wǎng)絡(luò)以集成現(xiàn)今車(chē)輛中的智能型傳感器裝置或致動(dòng)器。汽車(chē)工業(yè)開(kāi)始需要高于標(biāo)準(zhǔn)4kV的HBM?ESD目標(biāo)。當(dāng)前信息指示需要大于6kV(總線(xiàn)引腳及SPLIT引腳上的目標(biāo)為8kV)。再者，業(yè)界可能使裝置經(jīng)受如由IEC801及IEC61000-4-2所定義的系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。因此必須符合IEC1000-4-2:1995規(guī)格以及以下關(guān)于用于CAN及/或LIN系統(tǒng)中的集成電路裝置的所有引腳的可靠性規(guī)格：ESD:EIA/JESD22A114/A113、ESD:IEC1000-4-2:1995。

高能ESD放電(8KV?HBM/6KV?IEC61000.4)引發(fā)ESD保護(hù)中的高電流峰流動(dòng)(高達(dá)20A@6KV?IEC61000.4)。與用于保護(hù)的集成電路裝置信號(hào)墊片并聯(lián)(汽車(chē)需求)而添加220pF負(fù)載電容器顯著放大了此電流峰(此電容器的放電電流添加到ESD電流，且與此負(fù)載電容器大體上不存在串聯(lián)電阻以在ESD電路驟回時(shí)限制其放電電流)。

發(fā)明內(nèi)容

因此，需要能夠處置增強(qiáng)的高能ESD放電而不損害被保護(hù)的集成電路裝置的更穩(wěn)健的ESD保護(hù)電路。

根據(jù)一實(shí)施例，一種用于集成電路墊片的靜電放電(ESD)保護(hù)的設(shè)備可包括：多個(gè)ESD指(300)，其中所述多個(gè)ESD指中的每一者可耦合到信號(hào)墊片連接(323)、分布式基極連接(316)、耦合到柵極連接的多晶硅層(322)及接地連接(318)。

根據(jù)進(jìn)一步實(shí)施例，多個(gè)ESD指(300)的中每一者可包括：NMOS裝置(312)，所述NMOS裝置(312)包括：高電壓(HV)漏極，其由在P型襯底(308)中形成的N型阱(330)形成且通過(guò)N型阱(330)中的N+擴(kuò)散觸點(diǎn)(332)耦合到信號(hào)墊片(323)；柵極，其由在P型襯底(308)上的多晶硅層(322)形成且通過(guò)所述柵極與P型襯底(308)之間的薄氧化物層與P型襯底(308)絕緣；及源極，其由P型襯底(308)中的第一N+擴(kuò)散觸點(diǎn)(302)形成且耦合到分布式基極連接(316)；第一NPN雙極性裝置(306)，所述第一NPN雙極性裝置(306)包括由N型阱(330)形成的集極、由P型襯底(308)形成的基極及由P型襯底(308)中的第二N+擴(kuò)散觸點(diǎn)(310)形成且耦合到接地連接(318)的射極；第二NPN雙極性裝置(324)，所述第二NPN雙極性裝置(324)包括由N型阱(330)形成的集極、由P型襯底(308)形成的基極及由P型襯底(308)中的第一N+擴(kuò)散觸點(diǎn)(302)形成且耦合到分布式基極連接(316)的射極；第一P+擴(kuò)散觸點(diǎn)(314)，所述第一P+擴(kuò)散觸點(diǎn)(314)在P型襯底(308)中且耦合到分布式基極連接(316)，其中所述第一P+擴(kuò)散觸點(diǎn)(314)可經(jīng)對(duì)接而接近于第一N+擴(kuò)散觸點(diǎn)(302)；及第二P+擴(kuò)散觸點(diǎn)(320)，所述第二P+擴(kuò)散觸點(diǎn)(320)在P型襯底(308)中且耦合到接地連接(318)。