[發明專利]用于靜電放電指的增強互相觸發的多通道同質路徑

有效

• 申請號: 201280043043.7
• 申請日: 2012-07-19
• 公開（公告）號: CN103782385B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 菲利普·德沃爾;馬麗亞·費爾南德斯;帕特里克·貝薩厄澤
• 申請（專利權）人: 密克羅奇普技術公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種用于集成電路墊片的靜電放電ESD保護的設備，其包括：

多個ESD指(300)，

其中所述多個ESD指中的每一者耦合到

信號墊片連接(323)，

分布式基極連接(316)，

多晶硅層(322)，所述多晶硅層(322)耦合到柵極連接，及

接地連接(318)。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述多個ESD指(300)中的每一者包括：

NMOS裝置(312)，其包括

高電壓HV漏極，所述高電壓HV漏極由在P型襯底(308)中形成的N型阱(330)形成且通過所述N型阱(330)中的N+擴散觸點(332)耦合到所述信號墊片(323)，

柵極，所述柵極由在所述P型襯底(308)上的所述多晶硅層(322)形成且通過所述柵極與所述P型襯底(308)之間的薄氧化物層與所述P型襯底(308)絕緣，及

源極，所述源極由所述P型襯底(308)中的第一N+擴散觸點(302)形成且耦合到所述分布式基極連接(316)；

第一NPN雙極性裝置(306)，其包括

集極，所述集極由所述N型阱(330)形成，

基極，所述基極由所述P型襯底(308)形成，及

射極，所述射極由所述P型襯底(308)中的第二N+擴散觸點(310)形成且耦合到所述接地連接(318)；

第二NPN雙極性裝置(324)，其包括

集極，所述集極由所述N型阱(330)形成，

基極，所述基極由所述P型襯底(308)形成，及

射極，所述射極由所述P型襯底(308)中的所述第一N+擴散觸點(302)形成且耦合到所述分布式基極連接(316)；

第一P+擴散觸點(314)，所述第一P+擴散觸點(314)在所述P型襯底(308)中且耦合到所述分布式基極連接(316)，其中所述第一P+擴散觸點(314)經對接而接近于所述第一N+擴散觸點(302)；及

第二P+擴散觸點(320)，所述第二P+擴散觸點(320)在所述P型襯底(308)中且耦合到所述接地連接(318)。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述第二NPN雙極性裝置(324)為對所述第一NPN雙極性裝置(306)次級貢獻NPN雙極性裝置。

4.根據權利要求2所述的設備，其進一步包括：

第一電阻器(328)，其形成于所述P型襯底(308)中，所述第一電阻器(328)將所述第一NPN雙極性裝置(306)及所述第二NPN雙極性裝置(324)的所述基極耦合到所述第一P+擴散觸點(314)；及

第二電阻器(326)，其形成于所述P型襯底(308)中，所述第二電阻器(326)將所述第一NPN雙極性裝置(306)及所述第二NPN雙極性裝置(324)的所述基極耦合到所述第二P+擴散觸點(320)。

5.根據權利要求4所述的設備，其中所述第一基極電阻器(328)為非所需的寄生電阻器，而第二基極-射極電阻器(326)為所要的。

6.根據權利要求4所述的設備，其中所述第一基極電阻器(328)將所述第一NPN雙極性裝置(306)及所述第二NPN雙極性裝置(324)的所述基極連接到所述分布式基極連接(316)。

7.根據權利要求4所述的設備，其中所述第二電阻器(326)的電阻高于所述第一電阻器(328)以最大化所述多個ESD指(300)的互相觸發。

8.根據權利要求2所述的設備，其中由所述多晶硅層(322)形成的所述柵極耦合到所述分布式基極連接(316)。

9.根據權利要求2所述的設備，其中由所述多晶硅層(322)形成的所述柵極通過電阻器耦合到所述分布式基極連接(316)。

10.根據權利要求2所述的設備，其中由所述多晶硅層(322)形成的所述柵極通過電阻器耦合到所述接地連接(318)。

11.根據權利要求2所述的設備，其中由所述多晶硅層(322)形成的所述柵極耦合到所述接地連接(318)。

12.根據權利要求2所述的設備，其中由所述多晶硅層(322)形成的所述柵極耦合到ESD箝位觸發電路(110)。