[發明專利]用于制造平面圖案化透明接觸件和/或包含它的電子器件的技術

無效

• 申請號: 201280040986.4
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN103733368A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 阿列克謝·克拉斯諾夫;威廉·鄧·波爾
• 申請（專利權）人: 葛迪恩實業公司
• 主分類號: H01L51/44
• 分類號: H01L51/44;H01L51/52;G02F1/1343;H05B33/28;H01L33/40;H01L31/0224;G06F3/045;B32B17/10
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 黎艷;何沖

相關申請

本申請是均于2011年6月30日提交的美國申請系列號13/174,349和13/174,362的部分連續案（CIP），所述美國申請的全部內容并入本文以供參考。

?技術領域

本發明涉及制造圖案化的基本透明的接觸膜的方法，以及通過這樣的方法制造的接觸膜和/或電子器件。在某些示例性情況下，所述接觸膜可以被圖案化但仍保持基本平面。換句話說，所述接觸膜可以被圖案化而不像例如光蝕刻法等的方法可能需要的那樣有意地從所述層和/或薄膜移除任何材料。。

?發明背景和某些實施例的概述

電子器件在本領域中是已知的。電子器件中的一種類型是顯示器件，其可以包括例如LCD（液晶顯示器）器件、LED（發光二極管）器件、OLED（有機發光二極管）器件、等離子體顯示器、平板顯示裝置、觸摸屏裝置等。在某些情況下，電子器件可以包括圖案化的透明電極、薄膜和/或接觸件。已知的，在某些情況下，“圖案化的”可以意味著在電導和/或電阻方面圖案化。在某些情況下，這些圖案化的薄膜可以是可尋址的（例如通過TFT陣列），并且可以包含薄膜的導電和電阻部分的格柵和/或矩陣樣圖案。在許多情況下，可能希望提供包含導電和電阻部分兩者的電極和/或接觸件，以使顯示器件和/或觸摸屏裝置恰當地發揮作用，例如有源矩陣LCD裝置。

?用于電子器件的常規圖案化透明接觸件的制造，通常包括沉積連續的透明導電氧化物層（TCO），然后通過多步光蝕刻法移除部分TCO。例如，通常通過濺射將銦錫氧化物（ITO）作為覆蓋層沉積在玻璃基材上。濺射的覆蓋層通常使用光蝕刻法進行圖案化，所述光蝕刻法包括施加光阻材料（通常通過旋涂）、軟烘烤、曝光、硬烘烤、蝕刻和清洗。

?圖1是常規圖案化接觸件的橫截面圖。正如圖1所示，?TCO（例如ITO等）作為覆蓋層配置在基材1上。通過光蝕刻法將TCO圖案化成多個分隔開并且圖案化的島狀區3，由此形成了透明接觸件。已知的，上述步驟會形成階梯圖案，并且接觸件不是連續平面的。

?盡管光蝕刻法被廣泛使用，但它具有自身的缺點。例如，光蝕刻法包括許多步驟和許多中間材料，增加了與產品相關的時間和成本。總的來說，該方法還可能增加圖案化層形成期間缺陷的概率，例如光阻材料未對準、烘烤的問題、不正確的曝光和/或蝕刻、光阻材料移除不完全等產生的結果。光蝕刻法通常還留下尖銳的階梯或“角”，其能夠影響隨后施加的層和/或材料。作為實例，有機發光二極管（OLED）可能對這種影響特別敏感。此外，由于在某些情況下TCO材料可能具有與它沉積在其上的基材的折射率不同的的折射率，因此當部分TCO被移除時，基材和/或涂層的視覺外觀將由于TCO涂層的部分存在以及其折射率差異而顯得不均勻。事實上，典型的TCO通常具有約2.0的折射率，而承載性玻璃基材通常具有約1.5的折射率。因此，光蝕刻法可能引起制品的視覺外觀的不均勻的現象，這是另一個缺點。ITO本身成本高，并且屬于危險材料的銦在地球上的供應也越來越少。由于ITO本身是危險的，光蝕刻法還被認為具有潛在有害的環境影響，預定將部分移除的覆蓋層的沉積會產生大量材料廢物，重復地施加掩模和之后的移除也產生廢物等。

?因此，本領域技術人員都知道，提供用于形成圖案化接觸件的改進方法和/或通過這樣的方法制造的電子器件，是合乎需要的。

?某些實施例涉及利用輻射熱或其他相似方法選擇性圖案化天然平面薄膜透明導電接觸件。

?某些實施例的還涉及使用紫外（UV）射線傳遞能量至目標層以引起氧遷移。可以與某些實施例結合使用的示例性層組堆，可能缺少在IR光譜中具有良好吸收的層。換句話說，所述的示例性涂層組堆與某些實施例結合使用的層，可能對IR輻射熱不具有高吸收性。加熱玻璃然后將能量重新分配到Ag層和注氧層，可能降低方法的有效性和圖案化接觸件的分辨率。因此，某些實施例可能通過暴露在UV光（例如UV激光）下來實現向目標層的能量傳遞。某些實施例的目標層可能是由Zn和/或Sn的氧化物構成或包含它們的“種子”半導體層，其能夠吸收UV然后將它重新分配到Ag-“注入層”對。在不同實施例中，?Ag層本身可以是一個或所述目標層。

?某些實施例的還涉及可能包含至少兩個相鄰層的透明接觸件，其中所述第一層是高導電率和高透過率（至少在可見光譜中），其中導電率很大程度上取決于氧化狀態，并且所述第二層是能夠在高溫下與所述第一層交換離子或原子形式的氧的透明層。