[發(fā)明專利]用于制造平面圖案化透明接觸件和/或包含它的電子器件的技術(shù)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280040986.4
• 申請(qǐng)日: 2012-06-07
• 公開（公告）號(hào): CN103733368A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿列克謝·克拉斯諾夫;威廉·鄧·波爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 葛迪恩實(shí)業(yè)公司
• 主分類號(hào): H01L51/44
• 分類號(hào): H01L51/44;H01L51/52;G02F1/1343;H05B33/28;H01L33/40;H01L31/0224;G06F3/045;B32B17/10
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 黎艷;何沖

1.一種制造包含由基材承載的多層薄膜涂層的涂層制品的方法，所述方法包括：

將種子層配置在所述基材上；

將含銀導(dǎo)電層配置在所述種子層上；

將過氧化層配置在所述導(dǎo)電層的上方；

將所述涂層的選定區(qū)域暴露于輻射能，以使所述涂層中的目標(biāo)層至少部分吸收所述輻射能；以及

允許被所述目標(biāo)層吸收的光子轉(zhuǎn)移到所述過氧化層，以便引起（a）所述過氧化層與所述導(dǎo)電層之間的離子和/或原子交換，和/或（b）所述導(dǎo)電層內(nèi)的銀聚集，

所述離子和/或原子交換和/或所述銀聚集引起所述導(dǎo)電層的對(duì)應(yīng)于選定區(qū)域的部分中導(dǎo)電層的電導(dǎo)率的變化。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述暴露通過傳遞低于所述涂層中最上層的融蝕閾值的平均單位面積功率來實(shí)現(xiàn)。

3.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中作為所述暴露的結(jié)果，所述涂層未被顯著融蝕。

4.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其還包括通過光學(xué)機(jī)構(gòu)散焦以幫助避免顯著融蝕。

5.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述涂層在所述暴露之前與所述暴露之后同樣平坦。

6.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中傳遞到所述涂層的能量大于所述目標(biāo)層的材料能帶隙。

7.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述能量的功率為1-50?mW。

8.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述種子層是所述目標(biāo)層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中被所述目標(biāo)層吸收的光子從所述種子層通過所述導(dǎo)電層轉(zhuǎn)移到所述過氧化層。

10.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述種子層包含錫氧化物。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中傳遞的光子能量為3.4-4.2?eV。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中傳遞的光子能量約為3.8?eV。

13.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能的波長(zhǎng)為290-360?nm。

14.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能的波長(zhǎng)約為326?nm。

15.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述種子層包含鋅氧化物。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中傳遞的光子能量為2.9-3.5?eV。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中傳遞的光子能量約為3.2?eV。

18.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能的波長(zhǎng)為350-430?nm。

19.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能的波長(zhǎng)約為390?nm。

20.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述導(dǎo)電層是所述目標(biāo)層。

21.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能包括被所述導(dǎo)電層吸收至少20%的波長(zhǎng)的UV光。

22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述輻射能的波長(zhǎng)<?375?nm。

23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述輻射能的波長(zhǎng)為300-350?nm。

24.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能是UV能，并且所述暴露使用一個(gè)或多個(gè)維度的光源通過掩模來進(jìn)行。

25.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能是UV能，并且所述暴露通過固態(tài)激光器來進(jìn)行。

26.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射能是UV能，并且所述暴露通過氘或氙燈來進(jìn)行。

27.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中將亞氧化層配置于所述導(dǎo)電層與所述過氧化層之間。

28.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述暴露之后，在所述導(dǎo)電層的所述部分與所述導(dǎo)電層的所述部分之外的區(qū)域處的電阻率的薄膜電阻比為至少約30000:1。