[發(fā)明專利]無源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280039323.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103733374A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | Y·施;許倩斐;W·S-K·楚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 思研(SRI)國(guó)際顧問與咨詢公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人: | 楊勇;鄭建暉 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 無源 矩陣 有機(jī) 發(fā)光二極管 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)根據(jù)美國(guó)法典第35篇第119(e)(1)條要求享有都于2011年8月12日提交的第61/523,083號(hào)和第61/523,090號(hào)的優(yōu)先權(quán),所述第61/523,083號(hào)和第61/523,090號(hào)的公開內(nèi)容以引用的方式整體納入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
OLED顯示器根據(jù)顯示器如何被尋址可以被分類為無源矩陣(PM)顯示器和有源矩陣(AM)顯示器。一般而言,AMOLED顯示器具有比PMOLED更好的效率和更長(zhǎng)的壽命,但具有高得多的生產(chǎn)成本。AMOLED的高成本主要來自所需要的TFT背板(backplane)。由于材料的一些固有限制,所述TFT背板的制造是昂貴的。另一方面,現(xiàn)有的TFT技術(shù)不能夠傳送足夠的電流以驅(qū)動(dòng)更大的OLED面板。因此,20″及以上的OLED面板目前是商業(yè)上不可得到的。
PMOLED比AMOLED便宜。然而,PMOLED的性能不令人滿意:PMOLED具有更短的壽命、有限的分辨率和尺寸以及更小的功率效率(power?efficient)。改進(jìn)PMOLED的性能可以顯著提高其商業(yè)價(jià)值以及拓寬PMOLED技術(shù)的使用領(lǐng)域。
相關(guān)技術(shù)包含US20060091794、US20070114522和US20070152923。
發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)方面,本發(fā)明提供了一種無源矩陣OLED顯示器,包括獨(dú)立可尋址的OLED像素(pixel)的矩陣,這些獨(dú)立可尋址的OLED像素在該顯示器的成像區(qū)域(imaging?area)中被布置成列線和行線,其中至少一個(gè)OLED像素包括以串聯(lián)方式與電致發(fā)光二極管連接的至少一個(gè)整流部件,且其中該至少一個(gè)OLED像素與缺少該至少一個(gè)整流部件的相似像素相比具有延長(zhǎng)的像素接通時(shí)間(on-time)。
特定實(shí)施方式包含:
其中,該至少一個(gè)整流部件占該像素的總電容的至少50%;
其中,該至少一個(gè)整流部件具有大于1的整流比(rectification?ratio);
其中,該至少一個(gè)整流部件的正向電阻等于該電致發(fā)光二極管的正向電阻;
其中,在開啟電壓(cut-in?voltage)之后,在該正向偏置區(qū)中,該至少一個(gè)整流部件具有斜率大于2的I/V響應(yīng)曲線;
其中,該至少一個(gè)整流部件具有最小特性正向電阻(minimal?characteristic?forward?resistance);
其中,該OLED是COLED且包括腔體(cavity);
其中,該腔體延伸穿過電致發(fā)光層和電介質(zhì)層;
其中,該至少一個(gè)整流部件占該像素的總電容的至少50%,且其中該至少一個(gè)整流部件的正向電阻等于該電致發(fā)光二極管的正向電阻;
該至少一個(gè)整流部件具有大于1的整流比,且其中該OLED是COLED且包括腔體;以及
其中,該至少一個(gè)整流部件占該像素的總電容的至少50%,且其中該至少一個(gè)OLED像素與缺少該至少一個(gè)整流部件的相似像素相比具有延長(zhǎng)的像素接通時(shí)間。
在另一個(gè)方面,本發(fā)明提供了一種用于形成無源矩陣OLED顯示器的方法,該無源矩陣OLED顯示器包括多個(gè)獨(dú)立可尋址的OLED像素,該多個(gè)獨(dú)立可尋址的OLED像素在該顯示器的成像區(qū)域中的基片(substrate)上被布置成列線和行線,該方法包括:通過串聯(lián)連接電致發(fā)光二極管和至少一個(gè)整流部件來形成該多個(gè)像素中的每個(gè)OLED像素,其中該整流部件增加該OLED像素的接通時(shí)間。
在特定實(shí)施方案中,該基片充當(dāng)陽極。
在另一個(gè)方面,本發(fā)明提供了一種器件,按順序包括:(a)基片層;(b)底電極層(bottom?electrode?layer);(c)一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體層;(d)像素底電極層;(e)電介質(zhì)層;(f)像素頂電極層(top?electrode?layer);以及(g)電致發(fā)光層,且進(jìn)一步包括至少一個(gè)腔體,該至少一個(gè)腔體延伸穿過該像素頂電極層且穿過該電介質(zhì)層,其中電致發(fā)光材料從該電致發(fā)光層延伸到該至少一個(gè)腔體中,且接觸該電介質(zhì)層、該像素頂電極層和該底電極層。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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