[發明專利]無源矩陣有機發光二極管

無效

• 申請號: 201280039323.0
• 申請日: 2012-08-12
• 公開（公告）號: CN103733374A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: Y·施;許倩斐;W·S-K·楚
• 申請（專利權）人: 思研（SRI）國際顧問與咨詢公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 楊勇;鄭建暉

1.一種無源矩陣OLED顯示器，包括獨立可尋址的OLED像素的陣列，這些獨立可尋址的OLED像素在該顯示器的成像區域中被布置成列線和行線，其中至少一個OLED像素包括以串聯方式與電致發光二極管連接的至少一個整流部件，且其中該至少一個OLED像素與缺少該至少一個整流部件的相似像素相比具有延長的像素接通時間。

2.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器，其中：

a）該至少一個整流部件占該像素的總電容的至少25%；

b）該至少一個整流部件具有大于1的整流比；

c）該至少一個整流部件的正向電阻等于該電致發光二極管的正向電阻；

d）在開啟電壓之后，在正向偏置區中，該至少一個整流部件具有如下I/V響應曲線，該I/V響應曲線的平均斜率比缺少該至少一個整流部件的相似像素的I/V響應曲線的平均斜率大至少2倍；和/或

e）該至少一個整流部件具有最小特性正向電阻。

3.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器，其中該OLED是COLED且包括腔體，其中該腔體延伸穿過電致發光層和電介質層。

4.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器，其中該至少一個整流部件占該像素的總電容的至少25%，且其中該至少一個整流部件的正向電阻等于該電致發光二極管的正向電阻。

5.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器，其中該至少一個整流部件具有大于1的整流比，且其中該OLED是COLED且包括腔體。

6.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED，其中該至少一個整流部件的正向電阻等于該電致發光二極管的正向電阻，且其中該OLED是COLED且包括腔體。

7.一種用于形成根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器的方法，該方法包括：通過串聯連接該電致發光二極管和該至少一個整流部件來形成多個像素中的每個OLED像素。

8.根據權利要求7所述的方法，其中基片充當陽極。

9.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器，按順序包括：

（a）透明的基片；

（b）陽極；

（c）至少一個OLED像素，其中該至少一個OLED像素的該至少一個整流部件是透明的薄膜二極管；以及

（d）陰極。

10.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器，按順序包括：

（a）基片層；

（b）底電極層；

（c）一個或更多個半導體層；

（d）像素底電極層；

（e）電介質層；

（f）像素頂電極層；以及

（g）電致發光層，

且進一步包括：

（h）至少一個腔體，延伸穿過該像素頂電極層且穿過該電介質層，

其中電致發光材料從該電致發光層延伸到該至少一個腔體中，且接觸該電介質層、該像素頂電極層和該底電極層。

11.根據權利要求1所述的無源矩陣OLED顯示器，按順序包括：

（a）基片；

（b）底電極層；

（c）電介質層；

（d）像素頂電極層；以及

（e）電致發光層，

且進一步包括：

（i）至少一個腔體，延伸穿過該像素頂電極層且穿過該電介質層，且在該像素頂電極層中限定了圖案；以及

（ii）半導體層，接觸該像素頂電極層，且使該像素頂電極層與該電致發光層分開，

其中電致發光材料從該電致發光層延伸到該至少一個腔體中，且接觸該電介質層、該像素頂電極層和該底電極層。

12.一種OLED顯示器，包括獨立可尋址的OLED像素的陣列，這些獨立可尋址的OLED像素在該顯示器的成像區域中被布置成列線和行線，其中：

（a）至少一個OLED像素按順序包括：底電極層、電介質層、像素頂電極層和電致發光層，且進一步包括腔體，該腔體延伸穿過該電介質層和該頂電極層；以及

（b）該電致發光層延伸到該腔體中，且接觸該電介質層、該像素頂電極層和該底電極層。

13.根據權利要求12所述的OLED顯示器，其中該顯示器的成像區域具有大于1英寸的對角尺度。