[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及該方法中所使用的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280038816.2
• 申請(qǐng)日: 2012-08-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103748664A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林下英司;尾崎勝敏;酒井充;森本哲光;小野博之;國(guó)重仁志
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三井化學(xué)東賽璐株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/304
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/304;C09J7/02;C09J11/06;C09J133/08
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;李宏軒

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法以及該方法中所使用的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜。?

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置的制造步驟中的半導(dǎo)體晶片的薄化加工通常通過(guò)磨削半導(dǎo)體晶片的電路非形成面（背面）來(lái)進(jìn)行。背面磨削時(shí)的半導(dǎo)體晶片的電路形成面的保護(hù)可通過(guò)各種方法來(lái)進(jìn)行。?

例如包含藍(lán)寶石基板的半導(dǎo)體晶片的電路形成面的保護(hù)可通過(guò)以下方法來(lái)進(jìn)行（例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1及非專(zhuān)利文獻(xiàn)1）。即，準(zhǔn)備在表面設(shè)有蠟樹(shù)脂層的陶瓷板。接著，將蠟樹(shù)脂層加熱使其熔融，將藍(lán)寶石基板的電路形成面嵌入至熔融狀態(tài)的蠟樹(shù)脂層。接著，將蠟樹(shù)脂層冷卻并使其固化。由此，通過(guò)蠟樹(shù)脂層保護(hù)藍(lán)寶石基板的整個(gè)電路形成面。作為蠟樹(shù)脂，通常由松香系蠟（包括松香、褐煤蠟及酚醛樹(shù)脂等蠟、熔點(diǎn)50℃左右）構(gòu)成。?

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)?

專(zhuān)利文獻(xiàn)?

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2005/099057號(hào)?

非專(zhuān)利文獻(xiàn)?

非專(zhuān)利文獻(xiàn)1：DISCO?Press?Release株式會(huì)社2009年11月5日因特網(wǎng)（URL:http://www.disco.co.jp/jp/news/press/20091105.html）?

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題?

然而，上述方法中，為了將背面磨削后的藍(lán)寶石基板自蠟樹(shù)脂層剝離，必須使蠟樹(shù)脂層加熱熔融。而且，必須通過(guò)溶劑清洗除去藍(lán)寶石基板表面所殘留的蠟樹(shù)脂，步驟煩雜。另外，背面磨削后的藍(lán)寶石基板由于厚度非常薄，容易產(chǎn)生翹曲，因此有在這些步驟中容易破裂的問(wèn)題。?

因此，本發(fā)明人等研究了通過(guò)較容易剝離的半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜來(lái)保護(hù)藍(lán)寶石基板的電路形成面的方法。以往的半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜具有基材層與粘著層。并且，在將半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜的粘著層貼附于半導(dǎo)體晶片的電路形成面后，磨削半導(dǎo)體晶片背面。然后，通過(guò)膠帶剝離機(jī)等剝離半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜。?

然而，使用以往的半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜的方法中，存在背面磨削時(shí)藍(lán)寶石基板的端部容易破損的問(wèn)題。即，如圖3所示，在蠟工法中，將藍(lán)寶石基板1的全部端部嵌入蠟樹(shù)脂層2內(nèi)，因而容易穩(wěn)定地保持藍(lán)寶石基板1的端部。另一方面，如圖4所示，在使用以往的半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜的方法中，藍(lán)寶石基板1的端部并未嵌入至半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜4的內(nèi)部，因此難以穩(wěn)定保持藍(lán)寶石基板1的端部。因此可以認(rèn)為，背面磨削時(shí)藍(lán)寶石基板1的端部與磨石3等接觸而容易破損。?

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，目的是提供一種特別是在藍(lán)寶石基板等硬且脆的半導(dǎo)體晶片中，亦可無(wú)破損地進(jìn)行背面磨削的半導(dǎo)體裝置的制造方法、適合于上述制造方法的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜。?

用于解決課題的手段?

本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，在背面磨削時(shí)，通過(guò)利用隆起部（凸緣（rim））保持半導(dǎo)體晶片的端部附近，可抑制半導(dǎo)體晶片端部的破損。并且努力研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)了可通過(guò)熱壓接較容易地形成隆起部（凸緣），且即便在背面磨削時(shí)的溫度亦可良好地維持隆起部（凸緣）的形狀的膜的構(gòu)成。?

即，本發(fā)明的第一發(fā)明涉及以下的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜。?

[1]一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜，其包括：基材層（A），其在150℃的儲(chǔ)存彈性模量G_A（150）為1MPa以上；以及軟化層（B），其在120℃～180℃的任意溫度的儲(chǔ)存彈性模量G_B（120～180）為0.05MPa以下、且在40℃的儲(chǔ)存彈性模量G_B（40）為10MPa以上。?

[2]如[1]所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜，其中，上述軟化層（B）在100℃的儲(chǔ)存彈性模量G_B（100）為1MPa以上。?

[3]如[1]或[2]所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜，其中，上述軟化層（B）在60℃的拉伸彈性模量E_B（60）與在25℃的拉伸彈性模量E_B（25）滿足1＞E_B（60）/E_B（25）＞0.1的關(guān)系。?

[4]如[1]至[3]中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜，進(jìn)一步包括粘著層（C），其隔著上述軟化層（B）而配置于與上述基材層（A）相反側(cè)；上述粘著層（C）的依據(jù)JIS?Z0237而測(cè)定的粘著力為0.1N/25mm～10N/25mm。?

[5]如[1]至[4]中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膜，其中，上述基材層（A）配置于最表面。?