[發明專利]半導體裝置的制造方法及該方法中所使用的半導體晶片表面保護用膜

有效

• 申請號: 201280038816.2
• 申請日: 2012-08-09
• 公開（公告）號: CN103748664A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 林下英司;尾崎勝敏;酒井充;森本哲光;小野博之;國重仁志
• 申請（專利權）人: 三井化學東賽璐株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C09J7/02;C09J11/06;C09J133/08
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;李宏軒

1.一種半導體晶片表面保護用膜，包括：

基材層（A），其在150℃的儲存彈性模量G_A（150）為1MPa以上；

軟化層（B），其在120℃～180℃的任意溫度的儲存彈性模量G_B（120～180）為0.05MPa以下，且在40℃的儲存彈性模量G_B（40）為10MPa以上。

2.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，其中，所述軟化層（B）在100℃的儲存彈性模量G_B（100）為1MPa以上。

3.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，其中，所述軟化層（B）在60℃的拉伸彈性模量E_B（60）與在25℃的拉伸彈性模量E_B（25）滿足1＞E_B（60）/E_B（25）＞0.1的關系。

4.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，進一步包括粘著層（C），其隔著所述軟化層（B）而配置于與所述基材層（A）相反側；

所述粘著層（C）的依據JIS?Z0237而測定的粘著力為0.1N/25mm～10N/25mm。

5.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，其中，所述基材層（A）配置于最表面。

6.如權利要求4所述的半導體晶片表面保護用膜，其中，所述粘著層（C）隔著所述軟化層（B）而配置于與所述基材層（A）相反側的最表面。

7.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，其中，所述軟化層（B）包含：烴烯烴的均聚物、烴烯烴的共聚物、或這些的混合物。

8.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，其中，構成所述軟化層（B）的樹脂的密度為880kg/m³～960kg/m³。

9.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，其中，所述基材層（A）是聚烯烴層、聚酯層、或聚烯烴層與聚酯層的層疊體。

10.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在半導體晶片表面保護用膜上，以所述半導體晶片的電路形成面與半導體晶片表面保護用膜接觸的方式配置半導體晶片的步驟；

在所述半導體晶片的外周，形成保持所述半導體晶片的所述半導體晶片表面保護用膜的隆起部的步驟；

對通過所述隆起部而保持的所述半導體晶片的電路非形成面進行磨削的步驟；

自所述半導體晶片的電路形成面剝離所述半導體晶片表面保護用膜的步驟；

所述隆起部在100℃的儲存彈性模量G（100）為1MPa以上。

11.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述半導體晶片表面保護用膜是如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膜，

以120℃～180℃的溫度、1MPa～10MPa的壓力熱壓接所述半導體晶片表面保護用膜與所述半導體晶片而形成所述隆起部。

12.如權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述半導體晶片表面保護用膜上以所述半導體晶片的電路形成面與半導體晶片表面保護用膜接觸的方式配置所述半導體晶片的步驟中的膜的溫度TM、與形成所述半導體晶片表面保護用膜的隆起部的步驟中的熱壓接溫度TP、以及所述軟化層（B）的軟化點溫度TmB滿足以下通式的關系：

[式1]TP≤TM

[式2]TmB＜TP＜TmB+40℃。

13.如權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中，以所述半導體晶片表面保護用膜的軟化層（B）較基材層（A）而成為所述半導體晶片的電路形成面側的方式，將所述半導體晶片配置于所述半導體晶片表面保護用膜上。

14.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述半導體晶片包含莫氏硬度為8以上的高硬度材料基板。