[發明專利]借助磁性通流測量的單個分析物采集

有效

• 申請號: 201280037334.5
• 申請日: 2012-08-01
• 公開（公告）號: CN103733042A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: M.J.赫洛;O.海登;S.F.特德;M.賴斯貝克
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: G01N15/10
• 分類號: G01N15/10;B03C1/02;G01R33/09;G01N33/543
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 謝強

技術領域

本發明涉及一種磁性標記的分析物的磁性通流測量，尤其是磁性流式細胞術。

背景技術

在磁流式細胞術術中截至目前使用兩種方式進行單個細胞檢測，在其中如下繞開在清楚地分離兩個直接相繼的細胞時出現的問題：

例如源自Loureiro等所著的“Journal?of?Applied?Physics”,2011,109,07B311中所公知的，超順磁性標記的細胞分析物由磁阻傳感器采集。雖然通過放棄積聚所標記的細胞從而細胞沒有被很高地濃縮，但是這導致同樣地非常小的復得率（Wiederfindungsrate），也即是說從整體上僅僅有低百分比的所標記細胞可以被磁阻傳感器采集。

替代地在現有技術中以稀釋的樣本進行處理。借助減小細胞懸浮液的濃度并結合積聚磁性標記的細胞而擴大了距離，并且細胞可以單個地被引導經過傳感器，然而由此非常不利地導致不希望的測量時間延長。

發明內容

本發明要解決的技術問題是，以高的復得率和短的測量時間提供單個細胞檢測。

所述技術問題通過根據權利要求1所述的方法來解決。本發明的具有優勢的構造是從屬權利要求的主題。

根據本發明的用于分析物的磁性通流測量的方法包括以下步驟：

首先進行樣本中的分析物的磁性標記。然后生成分析物的流動，所述分析物被引導經過傳感器裝置，其中所述分析物的流動在此至少被引導通過磁阻部件。此外生成磁性梯度場，借助該磁性梯度場，所標記的分析物在磁阻部件上積聚，還生成均勻磁場，其相對于磁阻部件延伸為使得所述均勻磁場不被磁阻部件采集。借助帶有至少一個磁阻部件的傳感器裝置進行單個標記的分析物的采集。在此所述磁性標記在根據本發明的方法中進行為使得所標記的分析物在均勻磁場中分別引起磁性雜散場，所述雜散場的可采集的最大值與分析物中心的距離小于流體動力學的分析物半徑。

為了生成磁性梯度場以及均勻磁場尤其僅僅需要一個磁性單元，其滿足雙重功能。在與磁性單元的更大距離中，該磁性單元生成梯度場用于磁性標記的分析物的積聚。然而在磁性單元的近處磁場線均勻分布。所述磁性單元在此如此相對于傳感器（也即是磁阻部件）布置，使得均勻磁場沿這樣的方向分布，在該方向上傳感器不敏感。這意味著例如，所述均勻磁場沿著z方向延伸，而傳感器在與其垂直的x方向敏感。

通過磁性標記分析物而在均勻磁場中引起的雜散場是由磁阻部件采集的。尤其該雜散場的x-分量被測量，其中所述x方向被定義為通流方向，也就是說雜散場的與磁阻部件的表面平行的方向。該可采集的雜散場最大值確定與分析物中點的距離，其接下來也被稱為磁性半徑。通過分析物、例如細胞分析物的磁性標記或珠子，這些分析物可以具有磁性直徑，其小于光學或流體動力學的直徑，這意味著，x方向上的最大雜散場位于分析物環周內。由此和通過同樣該雜散場的x-分量的檢測，例如借助在該水平的x方向敏感的磁阻部件來檢測，可以將對兩個直接相繼的細胞的檢測作為兩個獨立事件來分離進行。

這些有如下優點，在其中分析物以最小可能的距離存在的高細胞濃度的情況下，單個地檢測這些分析物，也即是真的能夠解決所謂的單個事件。通過合適的磁性標記將標記的分析物的雜散場在豎向的外部磁場中如此影響，使得磁性的單獨分析物檢測的復得率被確保。

傳感器裝置可以尤其具有至少一個但也可以多個磁阻部件，也就是說單個阻抗。優選所述傳感器裝置具有磁阻性的單個阻抗，其例如連接在惠斯登測量橋中。如從專利申請DE102010040391.1中公知的，可以由此特別有利地生成特征信號曲線（Signalverlauf）。

在本發明的一個有利構造的情況下在所述方法中借助磁性納米珠，尤其是超順磁性的納米珠進行磁性標記。所述納米珠尤其具有介于10nm和500nm之間的流體動力學直徑。分別根據待標記的分析物，例如根據細胞類型，它們的表面和/或表位數目（Epitopenanzahl）確定哪種大小和類型的標記是特別具有優勢的。有介于10nm和500nm之間的直徑的小納米珠具有優點，即由此可以達到在分析物表面上的介于10%至90%的占領密度，其實現將雜散場最大值移位到分析物內部。尤其如此標記分析物（例如細胞），使得雜散場的x-分量的最大值位于距細胞中心介于50%至90%細胞半徑處。

在本發明的另外具有優勢的構造的情況下在所述方法中借助納米珠進行磁性標記，其具有磁鐵礦材料或磁赤鐵礦材料。尤其用于磁化的納米珠具有飽和磁化大約介于80至90emu/g之間的材料。